时间：2025/8/1 23:26:56
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ITA10N65R 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及各类功率电子设备中。该器件采用先进的制造工艺，具有优异的导通电阻、开关性能和热稳定性，适用于高效率、高功率密度的设计需求。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：650V
漏极电流(Id)：10A（25°C）
导通电阻(Rds(on))：最大值为0.65Ω（典型值0.58Ω）
栅极电荷(Qg)：23nC（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220、D2PAK等
ITA10N65R具有低导通电阻，有效降低导通损耗，提高系统效率；
具备出色的开关特性，降低开关损耗，适用于高频开关应用；
内置体二极管，适用于需要反向电流保护的场合；
采用高雪崩能量耐受能力设计，提高了器件的可靠性和耐用性；
封装形式多样，便于散热和适应不同PCB布局要求；
适用于宽温度范围，确保在严苛环境下稳定运行。
该MOSFET广泛应用于各类电源系统，如AC-DC电源适配器、充电器、光伏逆变器、UPS不间断电源、工业自动化控制设备、电机驱动系统、DC-DC转换器及电池管理系统等。其高耐压与高电流能力使其成为中高功率应用的理想选择。
STP10N65M5、IPA10N65R、IPB10N65R
