时间：2025/7/10 7:09:31
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ITA08N65R是一款由Infineon（英飞凌）生产的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用N沟道增强型设计，主要应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动等场景。其耐压值高达650V，适合在高电压环境下工作，同时具备低导通电阻和快速开关特性，有助于提高系统的效率和可靠性。
该型号属于Infineon的CoolMOS系列，这一系列以卓越的性能和高效能表现著称，能够显著降低开关损耗和传导损耗。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：8A
导通电阻（典型值）：1.45Ω
栅极电荷：32nC
输入电容：1120pF
总功耗：7.2W
工作结温范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-220
ITA08N65R具有以下关键特性：
1. 高击穿电压：支持高达650V的工作电压，适用于各种高压应用。
2. 低导通电阻：典型值为1.45Ω，在同级别产品中表现出色，降低了功率损耗。
3. 快速开关能力：得益于低栅极电荷和优化的内部结构，器件能够在高频条件下高效运行。
4. 热稳定性强：可以在-55℃至150℃的温度范围内可靠工作，适应极端环境。
5. 高可靠性：通过了严格的质量测试，确保长期使用的稳定性和一致性。
6. 封装坚固：采用标准TO-220封装，易于安装和散热设计。
ITA08N65R广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：包括适配器、充电器以及工业电源等。
2. DC-DC转换器：用于汽车电子、通信设备和其他需要高效电压转换的应用。
3. 逆变器：例如太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。
4. 电机驱动：控制家用电器或工业设备中的电机运行。
5. PFC电路：提升功率因数校正效率，满足严格的能源法规要求。
IPA08N65R, IRFP460, STP08NF65
