IT4N10 时间：2025/8/16 21:15:11 阅读：6

IT4N10是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种电子设备中。该器件由国际晶体管（International Rectifier）公司制造，适用于需要高可靠性和高性能的场合。IT4N10的封装形式为TO-220AB，便于安装和散热。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：4A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

特性

IT4N10具有优异的电气性能和可靠性，适合在多种应用中使用。
　　首先，其高耐压特性使得该器件能够在高达100V的电压下稳定工作，适用于高电压环境。此外，IT4N10的栅源电压为20V，确保了在不同工作条件下的稳定性。
　　其次，该器件的连续漏极电流为4A，能够承受较大的电流负载，适用于需要较高电流的应用场景。其导通电阻为2.5Ω，在VGS为10V时表现出较低的导通损耗，有助于提高系统的整体效率。
　　IT4N10的封装形式为TO-220AB，这种封装设计便于散热，提高了器件在高功率应用中的可靠性。此外，其最大功率耗散为40W，能够在较苛刻的环境下稳定运行。
　　最后，IT4N10的工作温度范围为-55°C至150°C，这使其能够在极端温度条件下保持正常工作，适用于各种工业和商业应用。