IT-1100AADP-S是一款高性能的功率MOSFET晶体管,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
IT-1100AADP-S设计用于需要高效能和低损耗的应用场景,其封装形式为TO-220,这种封装不仅散热性能优越,还便于安装和集成到各种电路中。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压:100V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:17A
脉冲漏极电流:50A
导通电阻(典型值):3.5mΩ
总功耗:150W
工作温度范围:-55℃至+175℃
IT-1100AADP-S具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
3. 强大的浪涌电流承受能力,确保在异常情况下仍能正常工作。
4. 稳定的电气性能,在宽温度范围内表现一致。
5. TO-220标准封装,易于集成和散热管理。
6. 符合RoHS环保标准,无铅设计,适合绿色产品开发。
IT-1100AADP-S适用于多种领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC转换器中的高频开关元件。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的电源管理和驱动电路。
IRFZ44N, FDP5500, STP17NF50