ISSI408A-3G 时间：2025/12/28 17:36:12 阅读：9

ISSI408A-3G是由Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高性能、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件采用高速CMOS技术制造，适用于需要快速数据访问和高可靠性的应用场合。ISSI408A-3G是一款高速异步SRAM，容量为512Kbit（64K x 8），工作电压为3.3V，广泛应用于工业控制、通信设备、网络设备、嵌入式系统等领域。

参数

容量：512Kbit（64K x 8）
　　电压：3.3V
　　访问时间：10ns、12ns、15ns可选
　　封装形式：TSOP、SOJ、LCC等
　　工作温度：工业级（-40°C至+85°C）或商业级（0°C至70°C）
　　接口类型：异步SRAM接口
　　数据宽度：8位
　　封装引脚数：54引脚

特性

ISSI408A-3G具备高速访问能力，最大访问时间低至10ns，适合对性能要求较高的系统设计。其采用低功耗CMOS技术，在保证高速运行的同时有效降低功耗，适合长时间工作的工业与通信设备使用。
　　该芯片支持异步操作，无需时钟信号同步，简化了电路设计，提高了系统的灵活性。其工作电压为3.3V，兼容主流逻辑电平，便于与FPGA、微控制器或其他数字系统连接。
　　在封装方面，ISSI408A-3G提供多种封装形式，包括TSOP、SOJ和LCC等，便于适应不同PCB布局和空间限制的应用场景。此外，其工作温度范围涵盖工业级和商业级，可适用于广泛的环境条件。
　　该SRAM芯片具有高可靠性和稳定性，广泛用于数据缓存、图像处理、网络缓冲、工业控制和嵌入式系统等领域，是一款成熟、稳定的高性能存储解决方案。