时间：2025/7/22 17:29:39
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ISSI402-3G 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）制造的一款高性能、低功耗的异步静态随机存取存储器（SRAM）。该器件采用先进的CMOS技术制造，提供高速访问时间和低功耗的特性，适用于多种需要可靠存储解决方案的应用场合。ISSI402-3G 提供标准的异步SRAM接口，使得它能够方便地集成到各种系统中。
类型：异步SRAM
容量：256K x 8位（2Mbit）
电源电压：2.3V 至 3.6V
访问时间：10ns、12ns、15ns（根据具体型号）
封装类型：TSOP、SOJ、TSOP-II等
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）或商业级（0°C 至 +70°C）
封装引脚数：54引脚
接口：标准异步SRAM接口（地址、数据、控制信号）
ISSI402-3G 是一款高性能SRAM芯片，具备出色的访问速度和低功耗特性。其高速访问时间（最低10ns）使其适用于对响应时间要求严格的系统。CMOS制造工艺确保了低静态电流，同时在高速切换时仍能保持较低的动态功耗。该器件支持多种封装形式，便于在不同的PCB设计中使用。其宽电压范围（2.3V至3.6V）允许在多种电源条件下稳定工作，适用于电池供电设备和工业控制系统。此外，ISSI402-3G具有高可靠性和抗干扰能力，能够在恶劣环境下保持稳定运行。
该SRAM芯片还具备多种控制功能，包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），使得用户能够灵活地控制数据的读取和写入操作。数据保持模式下，ISSI402-3G的功耗可进一步降低，适用于需要长时间保存数据的应用。其异步接口简化了与微处理器和外围设备的连接，降低了系统设计的复杂性。
ISSI402-3G 广泛应用于需要高速存储和低功耗设计的系统中。典型应用包括嵌入式系统的缓存存储、工业控制器的数据缓冲、网络设备的临时存储、通信模块的高速数据缓存、便携式电子设备的主存储器等。由于其高可靠性，该器件也常用于汽车电子、医疗设备和测试仪器等对稳定性要求较高的场合。
ISSI402L-3G, CY62148G, AS7C256A, IDT71V416
