ISS404是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性,适用于电源转换器、DC-AC逆变器、电机控制和电源管理系统等领域。ISS404采用了TO-247封装形式,这种封装方式能够提供良好的散热性能,确保在高电流条件下稳定工作。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏极-源极电压(Vds):400V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):59A
导通电阻(Rds(on)):0.044Ω
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-247
ISS404具有多个关键特性,使其成为高功率应用的理想选择。
首先,该MOSFET的低导通电阻(Rds(on))为0.044Ω,这意味着在导通状态下,器件的功耗较低,从而提高了整体效率并减少了散热需求。在高电流条件下,低Rds(on)有助于降低电压降,确保系统稳定性。
其次,ISS404的最大漏极-源极电压(Vds)为400V,能够承受较高的电压应力,适用于高压电源转换和电机控制应用。栅极-源极电压(Vgs)范围为±20V,提供了良好的栅极控制能力,同时防止过电压损坏栅极氧化层。
此外,该器件的连续漏极电流(Id)为59A,在高功率应用中能够支持较大的负载电流。结合TO-247封装的优良散热能力,ISS404能够在高负载环境下保持稳定的性能。
ISS404的工作温度范围为-55°C至150°C,使其适用于广泛的工业和汽车应用,能够在极端温度条件下可靠运行。该MOSFET还具有良好的短路和过热保护能力,增强了系统的安全性和可靠性。
总的来说,ISS404凭借其高耐压、低导通电阻、大电流承载能力和优良的热管理性能,成为电源管理和功率电子领域的重要组件。
ISS404广泛应用于各种高功率电子设备和系统中。在电源转换器中,如DC-DC转换器和AC-DC整流器,ISS404用于高效能的功率开关,提高能量转换效率并减少热量产生。在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中,该MOSFET用于DC-AC逆变电路,实现稳定的交流输出。在电机控制应用中,如电动工具、电动汽车和工业自动化设备,ISS404用于PWM(脉宽调制)控制,调节电机速度和扭矩。此外,该器件还可用于电池管理系统、电能质量调节设备以及各种高功率LED照明驱动电路中。其高可靠性和优良的热管理能力使其成为工业、汽车和能源管理领域的重要组件。
IXFH50N40P, IRF740, STP55NF06, FDPF40N40