ISS17EP06LM 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速 SRAM 芯片,采用低功耗工艺制造。该芯片具有 64K x 18 的存储容量,支持同步突发模式操作,适用于需要高性能和低延迟的应用场景。
这款芯片设计用于工业、通信和消费类电子领域,其出色的性能和可靠性使其成为许多嵌入式系统的核心存储器选择。
存储容量:64K x 18 (1152 Kbits)
工作电压:1.7V 至 1.9V
访问时间:5 ns
数据宽度:18 位
封装形式:48 引脚 LQFP
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
接口类型:同步接口
时钟频率:最高 200 MHz
ISS17EP06LM 具有以下主要特性:
1. 高速操作:支持高达 200 MHz 的时钟频率,确保快速的数据传输和处理能力。
2. 同步突发模式:允许连续地址的自动递增,从而提高数据读取效率。
3. 低功耗设计:在保持高性能的同时显著降低功耗,适合对能效要求较高的应用。
4. 稳定性强:具备宽温度范围的工作能力,适应多种环境条件。
5. 可靠性高:经过严格测试,能够在长时间运行中提供稳定性能。
6. 小型化封装:采用 48 引脚 LQFP 封装,节省 PCB 空间。
ISS17EP06LM 广泛应用于以下领域:
1. 工业控制:如 PLC、机器人控制系统等需要高效数据缓存的场景。
2. 通信设备:包括网络交换机、路由器和基站中的临时数据存储。
3. 消费类电子产品:例如高端图形处理卡、游戏机和其他多媒体设备。
4. 嵌入式系统:作为处理器的外部高速缓存,提升系统整体性能。
5. 医疗设备:用于成像设备和实时监测仪器中的数据缓冲。
该芯片凭借其高性能和低功耗特点,在需要快速数据访问和低延迟的应用中表现出色。
ISS61LP12818-5BTL, IS61WV102416BLL-10