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ISMB6.0AT3 发布时间 时间:2025/9/3 8:10:59 查看 阅读:16

ISMB6.0AT3是一款表面贴装的瞬态电压抑制二极管(TVS),由ON Semiconductor生产,专为保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌和瞬态电压的影响而设计。该器件具有低钳位电压和快速响应时间,适用于各种通信接口、消费电子和工业控制等应用。ISMB6.0AT3采用SMB(DO-214AA)封装,适合高密度PCB布局。

参数

类型:TVS二极管
  工作电压:6.0V
  最大反向截止电压:5.5V
  钳位电压(Ipp):10.3V @ 1A
  峰值脉冲电流(Ipp):1A
  响应时间:1ps
  封装形式:SMB(DO-214AA)
  极性:单向
  功率耗散:100W(1ms脉冲)

特性

ISMB6.0AT3的主要特性包括其卓越的瞬态电压保护能力,能够有效吸收高达100W的峰值脉冲功率(在1ms脉冲条件下)。该器件具有极低的钳位电压,在1A的峰值电流下仅10.3V,从而减少了对被保护器件的潜在损害。响应时间极短,接近于1皮秒(ps),确保了在瞬态事件发生时能迅速反应,提供即时保护。其单向结构设计适用于直流电路中的电压保护。ISMB6.0AT3的SMB封装形式提供了良好的热稳定性和机械强度,同时适合表面贴装工艺,便于自动化生产和PCB空间优化。该器件的工作温度范围广泛,通常为-55°C至+150°C,适用于各种恶劣环境条件下的稳定运行。

应用

ISMB6.0AT3广泛应用于需要瞬态电压保护的电子设备中,尤其是在通信接口(如RS-485、RS-232、CAN总线等)、计算机外设(如USB接口、键盘、鼠标等)、工业控制系统(如PLC、传感器接口等)以及消费电子产品(如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等)中发挥关键作用。它常用于保护敏感的半导体器件(如IC、MOSFET、微控制器等)免受静电放电(ESD)、雷击浪涌、电感负载开关产生的瞬态电压冲击。此外,ISMB6.0AT3也适用于电源管理电路、汽车电子系统和自动化仪器仪表中,提供可靠且高效的电压保护方案,确保系统的稳定性和可靠性。

替代型号

SMBJ6.0A, P6KE6.8A, SMAJ6.0A

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