时间：2025/8/24 21:42:01
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ISL9V5045S 是由 Renesas（原 Intersil）推出的一款高功率、高频 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于需要高效率和高功率密度的开关电源应用。ISL9V5045S 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于 DC-DC 转换器、同步整流器以及电机控制等高频率、高电流的电力电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：45A
最大漏-源电压（Vds）：100V
最大栅-源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：16.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252（D-Pak）
栅极电荷（Qg）：42nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1900pF（典型值）
开关延迟时间（td(on)）：10ns（典型值）
上升时间（tr）：32ns（典型值）
ISL9V5045S 具备一系列优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻 Rds(on) 仅为 16.5mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。其次，该器件支持高达 45A 的连续漏极电流，使其适用于中高功率的电源转换应用。ISL9V5045S 的最大漏-源电压为 100V，适用于多种电压等级的系统设计。
在开关性能方面，ISL9V5045S 表现出较低的栅极电荷（Qg = 42nC）和输入电容（Ciss = 1900pF），这使得它在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗。此外，该 MOSFET 的开关延迟时间（td(on)）和上升时间（tr）分别仅为 10ns 和 32ns，使其能够胜任高频开关应用。
热性能方面，ISL9V5045S 采用 TO-252（D-Pak）封装，具有良好的散热能力。该封装形式不仅有助于提高器件的热稳定性，还能在高功率密度的应用中实现更紧凑的设计。此外，器件的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，确保其在极端环境下的稳定运行。
ISL9V5045S 还具备良好的短路和过载保护能力，进一步提高了系统的可靠性和耐用性。这些特性使得该器件在汽车电子、工业电源、太阳能逆变器以及电动工具等领域中具有广泛的应用潜力。
ISL9V5045S 主要应用于需要高效率、高功率密度和快速开关特性的电力电子系统。典型的应用领域包括同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、不间断电源（UPS）以及电动汽车充电模块等。
在 DC-DC 转换器中，ISL9V5045S 可用于同步整流拓扑，以提高转换效率并减少热损耗。在电机控制应用中，该器件的高电流能力和快速开关性能使其成为理想的功率开关元件。此外，在电池管理系统中，ISL9V5045S 可用于电池充放电控制和保护电路。
由于其良好的热管理和高频响应能力，ISL9V5045S 也适用于需要紧凑设计和高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器、电机控制器和电能管理系统等。
SiHH45N100E, STP45N10F7, FDP45N10
