ISL9V3040P 是由 Renesas(原Intersil)生产的一款功率MOSFET器件,主要用于高效率、高频率的功率转换应用。该器件是一款N沟道增强型MOSFET,设计用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等场景。ISL9V3040P 采用了先进的沟槽式功率MOSFET技术,具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,从而降低了导通损耗和开关损耗。该封装采用TO-220形式,便于散热和安装,适用于中高功率应用。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):40V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):30A(Tc=25°C)
功耗(Pd):100W
导通电阻(Rds(on)):典型值为7.5mΩ(在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):100nC(典型值)
工作温度范围:-55°C至175°C
ISL9V3040P 采用了先进的沟槽式技术,能够提供非常低的导通电阻(Rds(on)),从而显著降低导通损耗,提高电源转换效率。此外,该器件具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性,适合在高密度电源设计中使用。
这款MOSFET具备快速开关特性,开关时间非常短,能够适应高频开关电源设计的要求,减少开关损耗并提高系统效率。同时,其较高的栅极电荷(Qg)值意味着在某些高频应用中需要更强的驱动能力,但也能提供更稳定的开关性能。
ISL9V3040P 的 TO-220 封装形式具有良好的散热性能,适用于需要较高功率耗散的应用。其额定工作温度范围较宽(-55°C至175°C),能够在恶劣的工作环境中稳定运行,适合工业级和汽车级应用。
该器件还具备较高的雪崩能量承受能力,能够在突发的电压冲击情况下保持稳定运行,提高了系统的可靠性和耐用性。
ISL9V3040P 广泛应用于多种功率电子系统中,尤其是在需要高效能、高频率操作的场合。例如:
1. 开关电源(SMPS):由于其低导通电阻和快速开关特性,ISL9V3040P 非常适合用于各种AC-DC和DC-DC转换器中,以提高电源转换效率并减少发热。
2. 电机驱动和马达控制:在直流电机控制和H桥电路中,该MOSFET可以作为主开关器件,提供高效的功率控制和快速响应。
3. 负载开关:在需要频繁开启和关闭负载的场合,例如电池供电系统或智能电源管理系统中,ISL9V3040P 可以作为高效的负载开关使用。
4. 工业自动化和电源管理系统:该器件的高可靠性和宽工作温度范围使其非常适合用于工业控制系统、不间断电源(UPS)以及车载电源系统中。
SiHH30N40E, FDP30N40, FQP30N40, STP30NF40