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ISL9V3040D3ST 5503GM 发布时间 时间:2025/8/24 10:38:32 查看 阅读:2

ISL9V3040D3ST 5503GM 是由瑞萨电子(Renesas Electronics)生产的一款功率MOSFET器件,属于高功率密度、低导通电阻和快速开关特性的功率半导体产品。该器件采用先进的沟槽式功率MOSFET工艺制造,适用于各种高效率电源转换系统,如DC/DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统以及服务器和电信电源系统等应用。ISL9V3040D3ST 5503GM封装为D3PAK(TO-252),具有良好的散热性能,能够在高电流和高温环境下稳定工作。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):40V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):30A
  导通电阻(RDS(on)):典型值为7.8mΩ(在VGS=10V时)
  最大功耗(PD):150W
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装类型:D3PAK(TO-252)
  技术:沟槽式功率MOSFET

特性

ISL9V3040D3ST 5503GM 具备一系列先进的性能特点,使其在高功率应用中表现出色。首先,该MOSFET的低导通电阻(RDS(on))仅为7.8mΩ,在10V的栅极驱动电压下即可实现高效的导通状态,降低了导通损耗,提高了整体系统效率。这种低RDS(on)特性对于大电流应用尤为重要,能够有效减少发热,提高电源系统的稳定性。
  其次,该器件采用沟槽式工艺技术,优化了开关性能,减少了开关损耗。其快速开关能力使得ISL9V3040D3ST 5503GM适用于高频开关电源应用,如DC/DC转换器、PWM控制器和同步整流电路。此外,该MOSFET的栅极电荷(Qg)较低,有助于降低驱动损耗,提高整体能效。
  该器件的D3PAK封装提供了良好的热管理性能,确保在高电流和高温环境下仍能保持稳定工作。封装内部的低热阻设计有助于快速散热,延长器件的使用寿命,并提高系统可靠性。此外,该MOSFET的绝对最大额定值包括高达30A的连续漏极电流和150W的最大功耗,使其能够承受高负载条件下的工作需求。
  ISL9V3040D3ST 5503GM的栅极驱动电压范围为±20V,兼容多种驱动电路设计,支持标准的10V或12V栅极驱动电压。其工作温度范围为-55°C至+175°C,适用于各种工业级和高可靠性应用,如服务器电源、通信设备电源、汽车电子系统和工业自动化设备。
  综合来看,ISL9V3040D3ST 5503GM是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、快速开关速度、优异的热管理能力和广泛的工作温度范围,广泛应用于各类高效能电源系统中。

应用

ISL9V3040D3ST 5503GM 适用于多种高功率密度和高效率电源系统。其典型应用包括DC/DC转换器、同步整流器、负载开关、电源管理模块、服务器电源、通信设备电源、电池管理系统、UPS不间断电源、工业控制电源以及电动汽车充电模块等。由于其优异的导通特性和快速开关性能,该器件特别适合用于高频开关电源系统,如高效率的同步整流拓扑结构。此外,其D3PAK封装设计使其能够承受高电流和高温环境,适用于对散热性能要求较高的工业和汽车电子应用。

替代型号

SiHH30N40E, IPW60R007S, FDP30N40, IRF30N40

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