ISL9R3040P3是一款由瑞萨电子(Renesas Electronics)生产的高功率密度、同步整流MOSFET模块,专为高效率DC-DC转换应用而设计。该器件采用紧凑型封装,集成了上下桥臂的MOSFET器件,并内置驱动电路,适用于服务器电源、通信设备、工业电源以及负载点(POL)转换器等高性能电源系统。ISL9R3040P3支持高开关频率运行,有助于减小外部电感和电容的尺寸,提高整体系统的功率密度。
类型:同步整流MOSFET模块
输入电压范围:4.5V ~ 14V
输出电压范围:0.6V ~ 5.5V
最大输出电流:40A
开关频率:高达1.5MHz
封装形式:QFN(12mm x 12mm)
工作温度范围:-40°C ~ +125°C
集成驱动器:是
控制方式:电流模式控制
输出电压精度:±1%
输入欠压保护(UVLO):是
过温保护(OTP):是
过流保护(OCP):是
ISL9R3040P3具备多项高性能特性,确保其在复杂电源系统中的稳定性和效率。首先,其内部集成的高侧和低侧MOSFET不仅减少了外部元件数量,还提高了功率转换效率,降低了PCB布局的复杂性。该模块采用先进的封装技术,具有优异的热管理能力,能够在高负载条件下保持稳定运行。
其次,该模块支持宽输入电压范围(4.5V至14V),适用于多种输入电源配置,包括12V中间总线架构。其输出电压调节范围为0.6V至5.5V,能够满足现代处理器、FPGA和ASIC等低电压高电流器件的供电需求。
此外,ISL9R3040P3采用电流模式控制,提供快速的瞬态响应能力和出色的稳定性。内置的保护功能包括输入欠压保护、过温保护和过流保护,有效提高了系统的可靠性和安全性。该模块支持高达1.5MHz的开关频率,使得设计者可以使用更小的外部滤波元件,从而减小整体电源模块的尺寸和重量。
在封装方面,ISL9R3040P3采用12mm x 12mm的QFN封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,适合高密度PCB布局。
ISL9R3040P3广泛应用于高性能电源系统中,特别是在需要高效率、小尺寸和高可靠性的场合。典型应用包括服务器和存储设备的电源系统、通信基础设施设备(如基站和交换设备)、工业自动化控制系统、网络设备以及负载点(POL)电源转换器。该模块特别适合为高性能处理器、FPGA、ASIC和高速存储器供电。
ISL9R3040P3的替代型号包括ISL9R3040P3H、ISL9R3050P3、ISL9R3060P3等,具体选择应根据输出电流需求和系统设计要求进行匹配。