时间：2025/8/25 1:48:17
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ISL9R1560S3D 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的高性能、高可靠性、低电压N沟道MOSFET功率晶体管，专为电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备等应用而设计。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优良的热性能。ISL9R1560S3D 封装形式为DFN5x6，适用于紧凑型电源设计，具备出色的散热性能和电气特性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：60A（在Vgs=10V时）
导通电阻(Rds(on))：最大6.8mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：DFN5x6
ISL9R1560S3D 采用了瑞萨电子先进的沟槽式功率MOSFET结构，具备非常低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其Rds(on)在Vgs=10V时最大为6.8mΩ，能够显著降低大电流工作下的功率损耗。
该器件支持高达60A的连续漏极电流，适用于高功率密度的电源转换器和负载开关应用。同时，其宽广的栅源电压范围（±20V）使其适用于多种驱动电路，具备良好的兼容性和稳定性。
ISL9R1560S3D 的DFN5x6封装不仅体积小巧，便于在空间受限的PCB布局中使用，而且具备优异的热管理能力，能够有效地将热量传导至PCB，提升器件的长期可靠性。
此外，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定工作。其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车级应用环境。
ISL9R1560S3D 主要应用于高效DC-DC转换器、同步整流电路、负载开关、电池管理系统（BMS）、服务器电源、电信设备电源模块、便携式电子产品电源管理电路以及各种需要高电流、低导通电阻的功率MOSFET的场合。
由于其高电流能力和低导通电阻，ISL9R1560S3D 特别适合用于多相位VRM（电压调节模块）和高性能计算平台的电源设计。此外，在工业自动化设备和电机控制电路中也有广泛的应用前景。
SiSS15DN、FDMS86180、IPB013N04NG、BSC058N06NS5
