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ISL9N312AD3SD 发布时间 时间:2025/8/24 15:24:41 查看 阅读:4

ISL9N312AD3SD是一款高性能、集成式MOSFET驱动器IC,由Renesas(原Intersil)公司生产。该芯片专为高频率、高效能的DC-DC转换器和电源管理应用而设计,内部集成了高边和低边MOSFET驱动器,适用于同步整流拓扑结构,如Buck转换器。ISL9N312AD3SD采用了先进的CMOS工艺制造,具有良好的抗干扰能力和稳定性,适用于中高功率的电源系统。

参数

工作电压范围:4.5V至24V
  工作频率:最高可达1MHz
  高边驱动电压:5V(典型值)
  低边驱动电压:5V(典型值)
  输出电流能力:拉电流/灌电流均为1.2A(典型值)
  传播延迟:典型值为15ns
  输入逻辑阈值:CMOS兼容
  封装类型:DFN-10(3mm x 3mm)
  工作温度范围:-40°C至+125°C

特性

ISL9N312AD3SD的主要特性之一是其双通道、半桥(high-side和low-side)驱动能力,能够独立控制两个MOSFET器件,从而提高系统的效率和响应速度。该IC内置了自举二极管,简化了外部电路设计并减少了外部元件数量。此外,ISL9N312AD3SD具有较宽的工作电压范围(4.5V至24V),适用于多种电源应用,包括电池供电设备和工业控制系统。
  该芯片采用了低功耗设计,在待机模式下消耗的电流非常低,有助于提高整体能效。其CMOS兼容输入使得它可以与多种控制器IC配合使用,而无需额外的电平转换电路。ISL9N312AD3SD还具有过热保护功能,当芯片温度超过设定阈值时,驱动输出将被自动关闭,以防止热损坏。
  另一个关键特性是其出色的驱动能力,1.2A的输出电流能够快速充放电MOSFET的栅极电容,降低开关损耗,提高系统效率。其低传播延迟(15ns)特性使其适用于高频开关应用,从而减小外围电感和电容的尺寸,节省PCB空间。

应用

ISL9N312AD3SD广泛应用于需要高效、高频DC-DC转换的电源系统中,例如笔记本电脑、服务器、电信设备、工业电源、电池管理系统(BMS)以及各种同步整流Buck转换器设计。其集成度高、驱动能力强的特点使其成为高性能电源设计的理想选择。

替代型号

ISL9N312AD3SD的替代型号包括Intersil的ISL9N312AD3ST、TI的LM5112和ON Semiconductor的NCP8104。这些型号在驱动能力、工作电压范围和封装形式上与ISL9N312AD3SD相似,可作为替代选项用于兼容设计。

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