时间：2025/8/24 8:45:35
阅读：5
ISL9N310AD3S是一款高性能、高密度的MOSFET功率模块，由Renesas（原Intersil）公司生产。该器件采用先进的封装技术，将多个功率MOSFET集成在一个紧凑的封装中，适用于需要高效能和高集成度的电源转换应用。ISL9N310AD3S特别适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及高性能计算设备中的电源管理部分。
类型：功率MOSFET模块
拓扑结构：双N沟道增强型MOSFET
VDS（漏源电压）：30V
ID（连续漏极电流）@25°C：10A
RDS(on)：最大10mΩ（每个MOSFET）
封装形式：DFN10（3mm x 3mm）
工作温度范围：-40°C至+150°C
ISL9N310AD3S具备多项优异特性，确保其在高要求应用场景下的稳定性和效率。该模块内部集成两个高性能N沟道MOSFET，具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。
其采用先进的DFN封装技术，具有优异的热管理和散热性能，适用于空间受限的设计。该封装形式还具备良好的电气性能，减少寄生电感，提升开关速度和效率。
ISL9N310AD3S的额定工作电压为30V，漏极电流可达10A，在高温环境下仍能保持稳定运行。该模块适用于高频率开关应用，具备出色的开关特性和动态响应能力。
此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，适用于自动化贴片生产流程。其宽广的工作温度范围（-40°C至+150°C）使其适用于工业级和汽车级应用环境。
ISL9N310AD3S广泛应用于需要高效能、高集成度和小型化设计的电源管理系统中。典型应用包括：服务器和通信设备中的DC-DC转换器、笔记本电脑和高性能计算设备的电源管理单元、同步整流电路、电池管理系统、负载开关以及电机驱动电路。
在DC-DC转换器中，该模块可作为高侧和低侧开关，实现高效能的能量转换。由于其低导通电阻和高速开关特性，特别适用于高频开关电源设计。
在负载开关应用中，ISL9N310AD3S可用于控制电源分配、热插拔保护和系统级电源管理。其集成特性有助于减少外围元件数量，提高系统可靠性。
此外，该器件也适用于工业自动化控制、便携式电子产品以及车载电子系统等需要高效电源转换的场景。
SiC430DK, NexFET CSD87353Q5D, Infineon BSC050N06LS
