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ISL9N308AD3ST 发布时间 时间:2025/7/4 4:22:44 查看 阅读:8

ISL9N308AD3ST是Intersil(现为Renesas)推出的一款高效、同步降压型DC-DC转换器芯片。该芯片集成了高侧和低侧MOSFET,具有小尺寸和高效率的特点,适用于需要紧凑设计和高性能的便携式电子设备。
  该器件支持宽输入电压范围,能够提供高达3A的连续输出电流,并具备多种保护功能以确保系统稳定运行。其采用先进的工艺技术制造,具备快速瞬态响应能力,同时支持可调开关频率,方便优化效率和EMI性能。

参数

输入电压范围:2.7V - 5.5V
  输出电压范围:0.6V - VIN
  最大输出电流:3A
  开关频率:400kHz - 2.2MHz(可调)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:WLCSP-16
  典型静态电流:25μA
  关断电流:1μA

特性

ISL9N308AD3ST采用恒定导通时间(COT)控制模式,可以实现快速负载瞬态响应。
  内置补偿电路简化了外部元件的设计,减少了整体解决方案的尺寸和复杂性。
  芯片具有全面的保护功能,包括过流保护、短路保护、过温保护和欠压锁定(UVLO)。
  其高集成度和低功耗特性使其非常适合电池供电设备的应用场景,例如智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品。
  此外,该芯片还支持脉冲跳跃模式,在轻载条件下提升效率,进一步延长电池寿命。

应用

ISL9N308AD3ST广泛应用于消费类电子产品中,特别是对电源效率和空间限制要求较高的场合。
  典型应用场景包括:
  1. 智能手机和平板电脑的PMIC子系统电源管理。
  2. 可穿戴设备中的核心处理器供电。
  3. 数码相机及其他小型化手持设备。
  4. 物联网(IoT)终端节点设备的高效电源转换。
  5. POS机、扫描仪等便携式商业设备的电池管理系统。

替代型号

ISL9N308BD3ST, ISL9N308CD3ST

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ISL9N308AD3ST参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流50 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.008 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-252AA
  • 封装Reel
  • 下降时间32 ns, 31 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散100 W
  • 上升时间67 ns, 40 ns
  • 工厂包装数量2500
  • 典型关闭延迟时间35 ns, 64 ns