时间：2025/12/29 15:08:36
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ISL9N2357D3是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）生产的高侧N沟道功率MOSFET，专为高性能电源管理和功率转换应用设计。该器件采用了先进的Trench工艺技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高功率密度，适用于需要高效率和紧凑设计的系统。ISL9N2357D3封装为3mm x 3mm的DFN（Dual Flat No-lead）封装，具有良好的热性能和空间节省特性，非常适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：6.2A
导通电阻（Rds(on)）：16mΩ（典型值）@Vgs=4.5V
输入电容（Ciss）：390pF（典型值）@Vds=15V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：DFN 3mm x 3mm
ISL9N2357D3采用先进的Trench结构MOSFET技术，使其在低电压下具有极低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了整体效率。该器件在4.5V的栅极驱动电压下即可实现完全导通，适用于广泛使用的低压驱动电路，例如由数字控制器或微处理器直接控制的电路。
该MOSFET的DFN封装不仅提供了小型化设计的优势，还具备良好的散热性能，有助于在高电流条件下维持较低的结温，提高系统可靠性。此外，其封装设计也减少了寄生电感，提升了高频开关性能，使其适用于高频率的DC-DC转换应用。
ISL9N2357D3具有高雪崩耐量和良好的短路耐受能力，增强了器件在严苛工况下的稳定性。其栅极氧化层经过优化设计，具备较高的可靠性，能够承受频繁的开关操作和瞬态电压冲击。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和卤素，满足现代电子产品对环保的要求。
在动态性能方面，ISL9N2357D3具有较低的开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。其输入电容较低，有助于减少驱动电路的负载，提高响应速度。同时，该器件的漏源电容（Crss）和反馈电容（Coss）也保持在较低水平，有助于减少交叉传导损耗，提高整体系统的能效。
ISL9N2357D3适用于多种电源管理应用，包括同步整流式DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路、服务器和通信设备的电源模块、便携式设备电源管理单元以及工业自动化和控制系统中的功率开关电路。由于其优异的导通特性和高频响应能力，该器件特别适合用于高效率、高频开关的应用场景，例如POL（Point of Load）电源转换器和多相电源系统。
Si2302DS、FDN340P、IRLML2502、NTJD4152P、AO3400A
