时间：2025/5/12 12:21:57
阅读：6
ISC046N04NM5 是一款基于硅材料制造的 N 沘道 MOSFET 功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为 SOT-23，体积小巧，便于在紧凑型设计中使用。
ISC046N04NM5 的典型应用场景包括 DC-DC 转换器、负载开关、电池保护电路以及小型化电子设备中的功率管理模块。该器件凭借其高效能和可靠性，在便携式电子产品和工业自动化领域得到了广泛应用。
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：4.6A
导通电阻(Rds(on))：95mΩ（典型值，Vgs=10V）
总功耗(Ptot)：780mW
工作结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
封装形式：SOT-23
ISC046N04NM5 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够有效减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关性能，支持高频工作环境，适合现代高效电源设计。
3. 小型 SOT-23 封装，节省 PCB 空间，便于高密度布局。
4. 优秀的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致。
5. 内置 ESD 保护功能，增强器件的抗静电能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
ISC046N04NM5 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 各类负载开关和保护电路。
3. 电池管理系统(BMS) 中的充放电控制。
4. 小型电机驱动和控制。
5. 消费类电子产品的功率管理模块。
6. 工业自动化设备中的信号切换和功率分配。
ISC046N04NL5, ISC046N04NML5
