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ISC045N03L5S 发布时间 时间:2025/8/2 5:16:43 查看 阅读:16

ISC045N03L5S是一款由Infineon Technologies(英飞凌科技)设计和生产的功率MOSFET器件。该器件基于先进的沟槽技术,具有低导通电阻(Rds(on))和优异的开关性能,适用于各种高效率电源管理和功率转换应用。ISC045N03L5S采用5mm x 6mm的小型封装,具备良好的热管理和电气性能,非常适合在空间受限和高功率密度要求的应用中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):45A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:PG-TDSON-8

特性

ISC045N03L5S的主要特性之一是其极低的导通电阻,能够在高负载条件下显著降低导通损耗,提高系统能效。此外,该器件采用先进的沟槽技术,提供优异的开关性能,使得其在高频应用中表现出色。
  该MOSFET的封装设计优化了热管理,确保在高电流工作条件下能够保持稳定的性能。其栅极驱动电压范围宽,支持标准逻辑电平驱动,兼容多种控制电路设计。
  另外,ISC045N03L5S具备良好的短路耐受能力和过热保护特性,增强了器件在严苛环境中的可靠性和稳定性。这些特性使其成为汽车电子、工业电源、DC-DC转换器、电池管理系统等高性能应用的理想选择。

应用

ISC045N03L5S广泛应用于各种高效率电源管理系统和功率转换设备中。在汽车电子领域,该器件常用于车载充电系统、电动助力转向系统、电池管理系统(BMS)以及车载DC-DC转换器。在工业应用中,它被用于伺服驱动器、可编程逻辑控制器(PLC)、工业电源和UPS(不间断电源)系统。
  由于其高频开关特性和低导通损耗,ISC045N03L5S也非常适合用于同步整流、负载开关、马达控制和高密度电源模块。此外,该器件还适用于消费类电子产品中的高效电源管理方案,例如笔记本电脑、游戏主机和高性能计算设备中的电源子系统。

替代型号

IPB045N03L5ATMA1, BSC045N03L5I5ATMA1

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