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IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 19:13:49 查看 阅读:5

IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片的存储容量为1Mbit,组织结构为16位×64K字,采用异步SRAM架构,适用于需要快速数据访问和高可靠性的应用。IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR具有低电压操作特性,通常用于网络设备、通信系统、工业控制和嵌入式系统等对性能和功耗有较高要求的场景。

参数

容量:1Mbit
  组织结构:16位 × 64K字
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:70ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:54引脚LLP
  封装尺寸:10mm × 14mm
  读取电流(典型值):120mA
  待机电流(典型值):10mA

特性

IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR SRAM芯片具有多项高性能特性。首先,其高速访问时间为70ns,能够满足对数据访问速度要求较高的应用场景。其次,该芯片支持宽电压范围(2.3V至3.6V),使其能够适应不同的电源设计,并具备良好的兼容性。此外,芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级温度标准,适用于各种严苛环境下的应用。该SRAM采用CMOS技术制造,具有低功耗的特点,在正常工作时的典型电流为120mA,待机状态下功耗更低至10mA,有助于延长设备的电池寿命或降低整体功耗。封装方面,IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR采用54引脚LLP(Leadless Leadframe Package)封装,具有较小的体积和良好的散热性能,适用于高密度PCB布局。此外,该器件具备高抗干扰能力,能够在电磁干扰较强的环境中保持稳定工作,提升了系统的可靠性。
  在功能方面,该SRAM支持异步读写操作,无需时钟信号控制,数据存取更加灵活。同时,其16位并行数据总线结构可以提供较高的数据吞吐能力,适用于高速缓存、数据缓冲和临时存储等需求。由于其稳定性和高性能表现,IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR广泛应用于通信基础设施、工业控制系统、网络设备、医疗电子设备等关键领域。

应用

IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR SRAM芯片因其高速、低功耗和宽工作温度范围等特性,被广泛应用于多个行业。在通信领域,该芯片可用于路由器、交换机和基站设备中的高速缓存或临时数据存储单元。在工业控制方面,它常用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)设备和自动化控制系统中,作为程序或数据存储器。此外,在网络设备中,该SRAM可用于缓存表项、数据包缓冲等场景,以提高系统响应速度。在医疗电子设备中,该芯片用于存储关键参数或实时数据,保障设备的高可靠运行。同时,它也适用于测试设备、嵌入式系统、图像处理设备和消费类电子产品中,为需要高速随机访问存储的系统提供稳定支持。

替代型号

IS66WV1M16EBLL-70BLI-TR, CY62148E, AS7C31M16A-70BANB, IDT71V416SA

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IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥20.81984卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式PSRAM
  • 技术PSRAM(伪 SRAM)
  • 存储容量16Mb
  • 存储器组织1M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页70ns
  • 访问时间70 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFBGA
  • 供应商器件封装48-TFBGA(6x8)