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IS66WVC2M16EALL-7010BLI 发布时间 时间:2025/9/1 13:45:11 查看 阅读:7

IS66WVC2M16EALL-7010BLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)公司生产的高性能、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用了先进的CMOS工艺,具有较高的速度和稳定性,适用于对数据存取速度要求较高的应用场合。该SRAM芯片的存储容量为2MB(256K x 8或128K x 16),采用54引脚TSOP封装,适合在工业级温度范围内(-40℃至+85℃)工作,具备较强的环境适应能力。

参数

存储容量:2MB(256K x 8 / 128K x 16)
  电源电压:2.3V至3.6V
  访问时间:10ns
  封装类型:54引脚TSOP
  温度范围:-40℃至+85℃
  工作电流:最大180mA(典型值)
  待机电流:最大10mA
  数据输入/输出方式:异步
  封装尺寸:约8mm x 14mm
  JEDEC标准兼容性:符合TSOP-II标准

特性

IS66WVC2M16EALL-7010BLI采用了高性能的CMOS技术,确保了快速的数据读写能力,访问时间低至10ns,适用于高速缓存和实时系统中的数据存储需求。其异步控制接口允许与多种微控制器和处理器直接连接,简化了系统设计。
  该芯片支持多种数据宽度配置(8位或16位),提供了灵活的系统扩展能力。此外,IS66WVC2M16EALL-7010BLI具备低功耗特性,在待机模式下电流消耗极低,非常适合对能耗敏感的应用场景,如便携式设备和嵌入式系统。
  在可靠性方面,该SRAM芯片具有较强的抗干扰能力和稳定性,支持在恶劣工业环境下长时间稳定运行。其TSOP封装结构不仅减小了PCB布局空间,还提升了高频操作的性能,降低了电磁干扰(EMI)。
  IS66WVC2M16EALL-7010BLI还具备自动省电模式和数据保持模式,可在系统不活跃时自动降低功耗,延长电池寿命。此外,其异步控制引脚(如CE、OE、WE)支持精确的数据读写控制,提高了系统的响应速度和效率。

应用

IS66WVC2M16EALL-7010BLI广泛应用于各种高性能嵌入式系统和工业控制设备中,例如网络路由器、交换机、打印机、通信模块、汽车电子控制单元(ECU)、工业自动化控制器以及高端消费类电子产品。由于其高速访问能力,它常被用作处理器或微控制器的外部高速缓存,以提升系统的整体运行效率。此外,该芯片也适用于需要高稳定性和低功耗的医疗设备、测试仪器和数据采集系统。

替代型号

IS66WV2M16EALL-7010BLI, CY7C1041CV33-10ZSXI, IDT71V416SA10PFGI, IS66WV2M16BLL-7010BLI

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IS66WVC2M16EALL-7010BLI参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格480 : ¥29.05225托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式PSRAM
  • 技术PSRAM(伪 SRAM)
  • 存储容量32Mb
  • 存储器组织2M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页70ns
  • 访问时间70 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳54-VFBGA
  • 供应商器件封装54-VFBGA(6x8)