时间：2025/9/1 19:21:57
阅读：7
IS65WV102416DBLL-55CTLA3-TR 是一颗由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）生产的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件具有1Mbit的存储容量，组织结构为1024K x 16位，适用于需要快速数据访问和高可靠性的应用场景。该芯片采用高性能的CMOS技术制造，具有低功耗和高速访问时间的特点，适用于工业控制、通信设备和嵌入式系统等各类应用。
容量：1Mbit
组织结构：1024K x 16位
访问时间：55ns
电源电压：3.3V
工作温度范围：工业级 -40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数：54
功耗：典型电流约100mA
封装尺寸：标准TSOP封装
数据保持电压：2V
最大时钟频率：无（异步SRAM）
IS65WV102416DBLL-55CTLA3-TR是一款高性能异步SRAM芯片，采用了先进的CMOS工艺，具有高速和低功耗的特性。其访问时间为55纳秒，可以满足高速数据存储和访问需求。芯片支持3.3V电源供电，具有较宽的电压容忍范围，确保在不同应用环境下的稳定性。该SRAM芯片具备数据保持功能，在电源电压下降到2V时仍能保持数据不丢失，适合需要数据可靠性的系统应用。此外，该芯片的工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种严苛环境下的应用场合。TSOP封装形式有助于减少电路板空间占用并提高散热性能。
这款SRAM芯片无需时钟信号控制，采用异步接口，适用于传统的地址/数据总线架构，兼容多种嵌入式系统的内存接口标准。此外，其54引脚TSOP封装设计提供了良好的电气性能和机械稳定性，适合在高频操作环境下使用。芯片的低待机电流设计也有助于节能应用，适用于便携式设备和电池供电系统。
IS65WV102416DBLL-55CTLA3-TR适用于各种需要高速、低功耗、高可靠性的存储应用，如工业控制系统、网络设备、通信模块、嵌入式处理器系统、图形处理单元（GPU）缓存、高速缓存存储器（Cache Memory）、测试设备、数据采集系统以及需要快速数据访问的便携式电子设备。由于其宽温范围和良好的电气性能，它也常用于车载电子系统、医疗设备和军事/航空航天设备中的关键存储模块。
CY7C1021DV33-55BZC, IDT71V124SA70PFG, AS7C31026A-55BCBTR, IS61WV102416BLL-55CTA
