时间：2025/9/1 8:51:37
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IS64WV51216EDBLL-10BLA3 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM），其容量为512K x 16位。该芯片采用高性能CMOS技术制造，适用于需要快速存取和低功耗的嵌入式系统应用。IS64WV51216EDBLL-10BLA3采用52引脚TSOP封装，适用于工业温度范围，适合各种高性能数据存储和缓存应用。
容量：512K x 16位
电压范围：2.3V - 3.6V
访问时间：10ns
封装类型：TSOP
引脚数：52
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
读取电流：典型值 200mA（10MHz）
待机电流：最大 10mA
输入/输出电平：TTL兼容
IS64WV51216EDBLL-10BLA3 SRAM芯片具备高速访问时间和低功耗设计，使其在众多嵌入式系统中表现优异。该芯片的10ns访问时间确保了其在高频操作下的响应速度，同时其2.3V至3.6V的宽电压范围允许其在不同电源环境下稳定工作。CMOS工艺不仅提升了芯片的抗干扰能力，也显著降低了功耗，特别是在待机模式下功耗极低，延长了设备的电池寿命。
该SRAM芯片具有TTL兼容的输入/输出电平，使其能够与多种逻辑电路无缝对接。此外，其-40°C至+85°C的工业温度范围确保了在极端环境下的可靠性，适用于工业控制、通信设备、汽车电子和高性能消费类电子产品。IS64WV51216EDBLL-10BLA3采用52引脚TSOP封装，体积小巧，便于集成在高密度PCB设计中，同时具备良好的散热性能。
IS64WV51216EDBLL-10BLA3 SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存储和缓存的场景，例如网络路由器和交换机中的数据缓冲、工业控制器中的实时数据处理、汽车导航系统中的临时数据存储，以及高端消费类电子产品中的高速缓存。此外，该芯片也适用于测试设备、医疗仪器和通信基础设施等对稳定性和性能要求较高的领域。
IS64WV51216EBLL-10BNLI, CY62148EVLL-10ZSXI, IDT71V416SA10PFGI
