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IS64WV51216BLL-10CTLA3-TR 发布时间 时间:2025/9/1 9:16:48 查看 阅读:7

IS64WV51216BLL-10CTLA3-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有512K x 16位的存储容量,适用于需要高速访问和低延迟的应用场景。这款SRAM采用了CMOS工艺制造,具有低功耗、高可靠性和稳定性。该芯片采用52引脚TSOP封装,适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),适用于各种嵌入式系统和工业控制设备。

参数

容量:512K x 16位
  访问时间:10ns
  电源电压:3.3V
  封装类型:52引脚TSOP
  温度范围:-40°C至+85°C
  数据宽度:16位
  接口类型:异步SRAM
  工作电流:最大180mA(典型值)
  待机电流:最大10mA

特性

IS64WV51216BLL-10CTLA3-TR 采用先进的CMOS技术,具有出色的性能和能效。其10ns的访问时间确保了高速数据读写能力,适用于对响应时间要求严格的应用。该芯片支持异步操作,不需要时钟信号同步,简化了系统设计。其低待机电流特性使其适用于对功耗敏感的系统。此外,该SRAM芯片具有高抗噪能力,可在电磁干扰较强的环境中稳定运行。CMOS结构确保了良好的抗静电能力和热稳定性,提高了器件的可靠性。
  这款SRAM芯片广泛用于网络设备、工业控制器、通信模块、嵌入式系统和数据采集设备等应用场景。其TSOP封装形式有助于减少PCB空间占用,同时支持自动贴片工艺,便于大规模生产。该器件符合RoHS环保标准,适用于现代绿色电子产品设计。

应用

IS64WV51216BLL-10CTLA3-TR 主要应用于需要高速数据缓存和临时存储的场景,如路由器和交换机的缓冲存储器、工业控制系统的程序存储、嵌入式处理器的外部存储器扩展、医疗设备的数据采集缓冲、通信设备的协议处理缓存、测试仪器的图形缓存等。此外,它也适用于自动化设备、智能仪表、视频处理模块和高速数据采集系统等场景。

替代型号

IS64WV51216BLL-10BSTI, CY62148EVLL-10ZSXI, IDT71V416SA10PFGI, IS64WV51216BLLALLA3-TR

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IS64WV51216BLL-10CTLA3-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量8 Mbit
  • 访问时间10 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min2.4 V
  • 最大工作电流140 mA
  • 最大工作温度+ 125 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSOP-II
  • 封装Reel
  • 端口数量1
  • 工厂包装数量1000
  • 类型Asynchronous