时间：2025/9/13 18:58:02
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IS64WV25616BLL-10CTLA3是一款高速、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造。该器件具有256K x 16位的存储容量，适用于需要高速数据访问和可靠性的各种应用，如网络设备、工业控制、通信系统和嵌入式系统。该芯片采用CMOS工艺制造，具有较高的稳定性和较低的功耗。封装形式为54引脚TSOP（Thin Small Outline Package），适用于高密度电路设计。
容量：256K x 16位
访问时间：10ns
工作电压：2.3V至3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C（工业级）
封装类型：54-TSOP
接口类型：并行异步接口
最大工作频率：100MHz
功耗（典型值）：待机模式下小于10mA，工作模式下约120mA
数据保持电压：1.5V（在掉电情况下）
IS64WV25616BLL-10CTLA3是一款高性能的异步SRAM芯片，具备低功耗与高速访问的双重优势。其10ns的访问时间使得它适用于需要快速数据读写的应用场景。该芯片的工作电压范围较宽（2.3V至3.6V），能够适应多种电源环境，提高了设计的灵活性。此外，它支持-40°C至+85°C的宽温工作范围，适合在工业和恶劣环境条件下使用。
该SRAM芯片的并行接口设计支持与多种主控芯片的兼容连接，简化了系统集成过程。其TSOP封装形式有助于减少PCB空间占用，同时保持良好的散热性能。在掉电情况下，芯片可在1.5V电压下保持数据不丢失，适用于需要数据保持功能的系统设计。
IS64WV25616BLL-10CTLA3采用CMOS技术，具有良好的抗干扰能力和低漏电流特性，有助于提升系统的稳定性和能效。其设计符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的应用。
IS64WV25616BLL-10CTLA3广泛应用于需要高速缓存和临时数据存储的各类电子设备中。典型应用包括路由器、交换机等网络设备的缓存单元，工业控制系统中的数据缓冲存储器，以及嵌入式系统的临时存储区域。此外，它还可用于通信设备、测试仪器、视频采集与处理系统等需要快速访问大容量SRAM的场合。
IS64WV25616BLL-10BLLA3, CY62167VLLA10ZSXE, IDT71V416S10PF, ISSI IS64WV25616BLL-10CTR
