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IS64LPS102436B-166B3LA3-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:22:30 查看 阅读:23

IS64LPS102436B-166B3LA3-TR 是一家知名厂商推出的高性能、低功耗的同步动态随机存取存储器(SDRAM)芯片。该型号的存储容量为256兆位(MB),组织结构为16M x 16位,适用于对性能和功耗都有较高要求的应用场景。该芯片采用先进的制造工艺,确保在高频操作下的稳定性和可靠性,同时具备较低的功耗特性,适合在便携式设备和高性能嵌入式系统中使用。

参数

容量:256 MB
  组织结构:16M x 16位
  工作频率:166 MHz
  数据速率:166 MHz
  电源电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:TSOP
  封装尺寸:54-ball TSOP
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  访问时间:5.4ns
  刷新功能:自动刷新和自刷新
  封装形式:表面贴装

特性

IS64LPS102436B-166B3LA3-TR 是一款面向高性能嵌入式系统的SDRAM芯片,具有出色的性能和稳定性。该芯片支持自动刷新和自刷新功能,可以在不降低数据保存能力的情况下显著降低功耗,非常适合需要长时间运行且功耗敏感的应用。其166 MHz的高工作频率使其能够满足对数据传输速度有较高要求的设计需求。此外,该芯片的工作电压范围较宽,为2.3V至3.6V,提供了较好的灵活性和兼容性,适用于多种电源管理方案。
  IS64LPS102436B-166B3LA3-TR 采用TSOP封装形式,具有54个引脚,便于在PCB上进行布局和焊接。该封装形式具有较好的散热性能,能够在高温环境下稳定运行。该芯片的存取时间为5.4ns,具备较高的响应速度,可显著提升系统整体性能。其工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)使其能够在各种恶劣环境下稳定工作,适用于工业控制、通信设备、汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
  此外,该芯片还具备低功耗设计,支持多种节能模式,包括待机模式和深度睡眠模式,以满足不同功耗需求。这使得它在便携式设备和电池供电系统中具有良好的应用前景。其自动刷新功能可以减少外部控制器的负担,提高系统的整体效率。

应用

IS64LPS102436B-166B3LA3-TR 通常应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、汽车电子以及便携式电子产品中。例如,在嵌入式处理器系统中,该芯片可作为高速缓存或主存储器,提升系统性能。在工业控制和自动化设备中,该芯片可提供稳定可靠的数据存储能力。在通信设备中,它可用于存储临时数据和缓冲信息。此外,该芯片也适用于消费类电子产品,如智能家电、便携式医疗设备等。

替代型号

IS64LPS102436B-166B3LA3-TR 的替代型号包括 IS64LPS102436A-166B3LA3-TR 和其他类似的16M x 16位 SDRAM芯片,例如 Micron 的 MT48LC16M16A2B4-6A 和 ISSI 的 IS42S16100E-6BL。

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IS64LPS102436B-166B3LA3-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,000 : ¥1,000.57472卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 同步,SDR
  • 存储容量36Mb
  • 存储器组织1M x 36
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间3.8 ns
  • 电压 - 供电3.135V ~ 3.465V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳165-TBGA
  • 供应商器件封装165-TFBGA(13x15)