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IS64LF12836EC-7.5B3LA3 发布时间 时间:2025/9/1 8:49:03 查看 阅读:7

IS64LF12836EC-7.5B3LA3 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片具有128K x 36位的存储容量,适用于需要高速数据存取的应用场合。其封装类型为360引脚BGA,适合在工业级温度范围内运行,是一款广泛应用于通信、工业控制、网络设备等高性能系统的存储器芯片。

参数

容量:4Mbit
  组织结构:128K x 36位
  访问时间:7.5ns
  工作电压:3.3V
  封装类型:360引脚BGA
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  接口类型:并行
  时钟频率:无(异步SRAM)

特性

IS64LF12836EC-7.5B3LA3 是一款高性能异步SRAM芯片,具备快速的访问时间和低功耗特性。该芯片支持异步操作,无需外部时钟信号,数据读取和写入操作通过地址和控制信号完成。其高速访问时间为7.5ns,可满足高速缓存、数据缓冲、图像处理等应用的需求。芯片采用3.3V电源供电,降低了功耗并提高了系统稳定性。此外,该芯片采用360引脚BGA封装,体积小、集成度高,适合高密度电路板设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C,满足工业级环境应用要求。

应用

IS64LF12836EC-7.5B3LA3 被广泛应用于通信设备、工业控制系统、网络路由器、交换机、测试设备、图像处理系统以及嵌入式系统中,作为高速缓存或数据缓冲器使用。

替代型号

IS64LF12836EC-7T

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IS64LF12836EC-7.5B3LA3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格144 : ¥91.04458托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 同步,SDR
  • 存储容量4.5Mb
  • 存储器组织128K x 36
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率117 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间7.5 ns
  • 电压 - 供电3.135V ~ 3.465V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳165-TBGA
  • 供应商器件封装165-TFBGA(13x15)