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IS64LF12836A-7.5B3LA3-TR 发布时间 时间:2025/9/1 8:33:47 查看 阅读:9

IS64LF12836A-7.5B3LA3-TR 是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为128K x 36位,适用于高性能嵌入式系统和工业控制领域。

参数

容量:128K x 36位
  电压:3.3V
  访问时间:7.5ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:134
  工作温度:工业级(-40°C 至 +85°C)

特性

IS64LF12836A-7.5B3LA3-TR 是一款高性能异步SRAM,具备高速访问能力,访问时间低至7.5纳秒,适用于需要快速数据读写的应用场景。该芯片采用3.3V电源供电,具有低功耗设计,能够在保证性能的同时减少能耗。其TSOP封装形式(134引脚)有助于节省PCB空间并提高系统集成度。
  这款SRAM芯片支持异步操作,不需要时钟信号控制,简化了系统设计。此外,该芯片的工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)使其适用于各种恶劣环境条件下的稳定运行,如工业自动化控制、通信设备、测试仪器和嵌入式系统等。
  IS64LF12836A-7.5B3LA3-TR 采用先进的CMOS工艺制造,具有高可靠性和抗干扰能力,确保数据在复杂电磁环境中仍能稳定传输。其高容量(128K x 36位)使其适用于需要大量高速缓存的应用,例如图像处理、实时数据缓冲和高速缓存控制器。

应用

IS64LF12836A-7.5B3LA3-TR 适用于工业控制设备、通信基础设施、嵌入式系统、图像处理设备、高速缓存存储器、测试与测量仪器等领域。

替代型号

IS64LF12836A-7.5B3MA3-TR, CY7C1380D-7B4BZXI, IDT71V416SA9B4BGI

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IS64LF12836A-7.5B3LA3-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 封装Reel
  • 工厂包装数量2000