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IS64C25616AL-12CTLA3 发布时间 时间:2025/9/1 9:09:16 查看 阅读:7

IS64C25616AL-12CTLA3 是由Integrated Silicon Solution(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有256K x 16位的存储容量,适用于需要高速、低功耗和非易失性存储的应用场景。该芯片采用CMOS技术制造,具备低功耗待机模式,适用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备和消费类电子产品。

参数

容量:256K x 16位
  电源电压:5V
  访问时间:12ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  封装引脚数:54
  接口类型:并行异步
  数据宽度:16位
  最大工作频率:约83MHz(基于访问时间计算)

特性

IS64C25616AL-12CTLA3 的主要特性包括高速访问时间和低功耗设计。该器件的访问时间为12ns,能够支持高速数据读写操作,适用于对实时性要求较高的系统。芯片采用CMOS技术,在保持高性能的同时实现低功耗运行,尤其在待机模式下电流消耗极低,有助于延长电池供电设备的使用寿命。
  此外,IS64C25616AL-12CTLA3 采用54引脚TSOP封装,具有良好的热稳定性和机械可靠性,适合在工业环境中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C,确保在各种恶劣环境下都能稳定运行。
  该SRAM芯片还支持异步操作,无需时钟信号即可完成数据存取,简化了系统设计,降低了电路复杂度。异步SRAM的这种特性使其特别适用于微处理器系统、网络设备和嵌入式控制器等应用场景。

应用

IS64C25616AL-12CTLA3 适用于多种高性能存储应用,尤其是在需要高速存取和低功耗特性的场合。常见的应用包括工业控制系统、通信设备(如路由器和交换机)、测试测量仪器、医疗设备以及高性能嵌入式系统。该芯片的异步接口设计使其能够灵活地与不同类型的处理器和控制器配合使用,例如ARM、PowerPC、MIPS等架构的嵌入式平台。此外,它还可用于缓存、图形加速器、数据缓冲和实时控制系统等场景。

替代型号

IS64C25616AL-12CTLA3 可以替代的型号包括:CY62148EVLL-12ZSXI(Cypress Semiconductor)、IDT71V124SA12PFG(Renesas)、AS7C25616A-12TC 和 IS64C25616ALBTA3。

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IS64C25616AL-12CTLA3参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量4 Mbit
  • 访问时间12 ns
  • Supply Voltage - Max5.5 V
  • Supply Voltage - Min4.5 V
  • 最大工作电流55 mA
  • 最大工作温度+ 125 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSOP-II
  • 封装Tray
  • 端口数量1
  • 工厂包装数量135
  • 类型Asynchronous