时间：2025/9/1 9:12:26
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IS63WV1288DBLL-10TLI-TR是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）。这款SRAM芯片具有高速访问时间、低功耗和高可靠性等特点，适用于需要高性能存储解决方案的嵌入式系统、工业控制设备和通信设备等领域。
容量：128K x 8位
组织结构：128K地址空间，每个地址8位数据
访问时间：10ns
工作电压：3.3V
封装类型：52引脚LLP（Leadless Leadframe Package）
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装尺寸：根据具体封装类型而定，LLP封装通常体积较小，适用于高密度PCB布局
最大工作频率：根据访问时间计算，约为100MHz
输入/输出电平：兼容LVTTL/CMOS
工作模式：异步模式
IS63WV1288DBLL-10TLI-TR是一款高性能的异步SRAM芯片，其主要特性包括：
? 高速访问时间：该芯片的访问时间为10ns，使得它能够满足对数据访问速度要求较高的应用场景。例如，在需要快速读写操作的网络设备或工业控制器中，这种高速特性可以显著提升系统性能。
? 低功耗设计：尽管具备高速性能，但该芯片在设计上优化了功耗，使其在运行过程中能够保持较低的能耗，适用于对功耗敏感的嵌入式设备。
? 工业级温度范围：该芯片支持-40°C至+85°C的工作温度范围，适合在严苛的工业环境中使用。这种特性使其能够在高温或低温条件下稳定运行，满足工业自动化、通信基础设施等领域的应用需求。
? 小型化封装：采用LLP（无引脚封装）封装技术，芯片的封装尺寸较小，适合在PCB布局紧凑的应用中使用。LLP封装还具有较好的电气性能和散热能力，有助于提高系统的稳定性和可靠性。
? 异步工作模式：该芯片采用异步工作模式，无需时钟信号控制，简化了系统设计，降低了系统复杂度。这种特性使其适用于需要灵活控制和快速响应的应用场景。
? 高可靠性：由于采用了先进的CMOS工艺和优化的电路设计，IS63WV1288DBLL-10TLI-TR具有较高的稳定性和长期运行的可靠性，适合在关键任务系统中使用。
IS63WV1288DBLL-10TLI-TR广泛应用于需要高速、低功耗和高可靠性的嵌入式系统中。例如，在工业自动化控制系统中，该芯片可用于存储程序代码、临时数据或缓存数据，以提高系统的响应速度和运行效率。在通信设备中，该芯片可用于实现高速数据缓冲，确保数据的快速读写和传输。此外，该芯片还可用于汽车电子、测试设备、医疗仪器等需要高性能存储解决方案的领域。
IS63WV1288DBLL-10BLI-TR，IS63WV1288DBLL-12TLI-TR，CY7C1041CV33-10ZSXI，IDT71V416SA10PFGI
