时间：2025/9/1 9:35:38
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IS63WV1024BLL-12JLI-TR 是一款由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为1Mbit（128K x 8），采用高速CMOS工艺制造，具有低功耗和高速访问特性。该芯片广泛应用于网络设备、通信系统、工业控制以及嵌入式系统等需要高速数据存储和快速访问的场合。
容量：1Mbit（128K x 8）
电压范围：2.3V 至 3.6V
访问时间：12ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装引脚数：54
数据总线宽度：8位
封装尺寸：54-TSOP
功耗（典型值）：工作模式下最大电流 160mA
IS63WV1024BLL-12JLI-TR 是一款高性能、低功耗的异步SRAM芯片，其主要特点包括高速访问时间、宽电压操作范围和工业级温度适应性。该芯片的访问时间仅为12ns，使其适用于对速度有较高要求的应用场景。芯片采用CMOS工艺制造，能够在2.3V至3.6V的宽电压范围内稳定工作，增强了设计的灵活性。此外，其工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于各种严苛环境下的设备。该芯片的54引脚TSOP封装形式，有助于节省PCB空间，提高系统集成度。
在功耗方面，IS63WV1024BLL-12JLI-TR 在工作模式下的最大电流为160mA，待机模式下电流更低，适用于需要节能设计的嵌入式系统和便携设备。其异步接口支持标准SRAM时序，易于与多种主控芯片连接，简化了硬件设计。同时，该器件具备良好的抗干扰能力和稳定性，适合用于数据缓存、临时存储和高速缓冲存储器等应用。
IS63WV1024BLL-12JLI-TR 芯片适用于多种电子设备和系统，包括但不限于：网络路由器和交换机中的数据缓存、工业控制系统中的高速数据存储、测试测量仪器中的临时存储器、嵌入式系统的程序和数据存储、通信模块中的缓冲存储器等。其高速访问能力和宽工作温度范围使其特别适合用于对可靠性和性能有较高要求的工业、通信和消费类电子产品。
IS63WV1024BLL-12JLIS, IS63LV1024-12A, CY62148EVLL-45ZS, IDT71V416SA12PFG
