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IS63WV1024BLL-12HLI 发布时间 时间:2025/9/1 8:42:30 查看 阅读:14

IS63WV1024BLL-12HLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件容量为1Mbit(128K x 8),采用高性能CMOS工艺制造,适用于需要高速数据访问和低功耗运行的应用场景。IS63WV1024BLL-12HLI 采用55nm工艺技术,具有良好的性能和可靠性,广泛应用于网络设备、工业控制、通信模块和嵌入式系统中。

参数

容量:1Mbit(128K x 8)
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:12ns
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装类型:48-TSOP
  接口类型:异步
  数据宽度:8位
  最大时钟频率:无
  封装尺寸:18.4mm x 12.0mm
  引脚数量:48

特性

IS63WV1024BLL-12HLI 具有多个显著的性能特点,首先其高速访问时间为12ns,使得该SRAM在数据读取和写入操作中表现出色,适合用于高速缓存或需要快速响应的控制系统中。该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围,使其能够在多种电源环境下稳定工作,提高了设计的灵活性和适应性。
  此外,该SRAM采用CMOS工艺制造,具有较低的静态电流和动态功耗,在低功耗应用中表现出色,特别适合电池供电或对功耗敏感的嵌入式设备。芯片的封装为48-TSOP,具有良好的散热性能和稳定性,适用于工业级工作温度范围(-40°C至+85°C),确保在严苛环境中仍能可靠运行。
  IS63WV1024BLL-12HLI 支持异步接口,无需外部时钟信号即可进行数据存取,简化了系统设计并降低了控制复杂度。该芯片还具备数据保持功能,在低电压状态下可维持数据完整性,进一步增强了系统的稳定性。

应用

IS63WV1024BLL-12HLI 广泛应用于需要高速、低功耗存储的系统中。常见的应用包括嵌入式处理器系统的缓存、网络设备的数据缓冲、工业控制设备的临时存储、通信模块的高速数据存储等。此外,它也适用于便携式设备、智能卡终端、医疗设备和自动化测试设备等对性能和功耗都有较高要求的场景。

替代型号

IS63WV1024BLL-12HLL, CY62148EVLL, IDT71V128SA, IS63LV1024-12A

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IS63WV1024BLL-12HLI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量1 Mbit
  • 组织128 K x 8
  • 访问时间12 ns
  • Supply Voltage - Max3.63 V
  • Supply Voltage - Min2.97 V
  • 最大工作电流45 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体sTSOP I-32
  • 封装Tray
  • 接口TTL
  • 端口数量1
  • 工厂包装数量234
  • 类型Asynchronous