IS63LV1024L-12H是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片的容量为1Mbit(128K x 8),采用高速CMOS工艺制造,适用于需要高速数据存取和低功耗的应用场景。IS63LV1024L-12H采用标准的异步SRAM接口,工作电压为3.3V,具有较高的稳定性和可靠性。该芯片广泛应用于工业控制、通信设备、嵌入式系统以及各种高性能计算设备中。
容量:1Mbit(128K x 8)
电源电压:3.3V
最大访问时间:12ns
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
封装类型:54引脚TSOP
数据总线宽度:8位
封装尺寸:标准TSOP封装
封装材料:塑料
存储结构:异步静态RAM
封装引脚数:54
读取电流(最大):160mA
待机电流(最大):10mA
IS63LV1024L-12H具备多项优良特性,使其在各种高性能存储应用中表现出色。首先,该芯片的访问时间仅为12ns,能够支持高速数据读写操作,适用于对响应时间要求严格的应用环境。其次,芯片采用低功耗设计,在待机模式下电流消耗极低,有助于延长电池供电设备的续航时间。此外,IS63LV1024L-12H支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),确保在严苛环境下依然能够稳定运行。该芯片采用标准异步SRAM接口,与多种微控制器和嵌入式系统兼容性良好。在封装方面,54引脚TSOP设计有助于节省PCB空间,并提高系统的集成度。IS63LV1024L-12H的高可靠性和稳定性也使其适用于长期运行的工业和通信设备。
IS63LV1024L-12H广泛应用于需要高速存储和低功耗的各类电子系统中。其主要应用领域包括嵌入式控制系统、工业自动化设备、通信模块、网络设备、医疗仪器、测试测量设备以及消费类电子产品。由于其高速访问时间和低功耗特性,该芯片特别适合用作缓存存储器或临时数据存储单元。此外,IS63LV1024L-12H在需要高稳定性和宽温工作范围的汽车电子系统中也有广泛应用。
IS63LV1024-12HLL, CY62148EVLL