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IS62WVS5128FBLL-20NLI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 18:07:37 查看 阅读:23

IS62WVS5128FBLL-20NLI-TR 是 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片具有512K x 8位的存储容量,适用于需要高性能和低功耗的嵌入式系统和工业控制应用。该器件采用FBGA封装,符合工业级温度标准(-40°C至+85°C),适合各种严苛环境下的应用。

参数

容量:512K x 8位
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  访问时间:20ns
  封装类型:FBGA
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:55mm x 48mm
  引脚数:54
  接口类型:并行
  工作模式:异步

特性

IS62WVS5128FBLL-20NLI-TR 是一款高性能的异步SRAM芯片,具备快速访问时间和宽电压工作范围,使其适用于各种高性能嵌入式系统。该芯片采用了先进的CMOS工艺,以降低功耗,同时保持高速操作。其20ns的访问时间确保了快速的数据读写,适用于需要实时响应的应用,如网络设备、工业控制系统和通信设备。
  该芯片的FBGA封装设计不仅节省空间,还提供了良好的热性能和电气性能,确保在高温环境下的稳定运行。其-40°C至+85°C的宽工作温度范围,使其适用于恶劣的工业和汽车环境。
  此外,IS62WVS5128FBLL-20NLI-TR 还具有高可靠性和抗干扰能力,适用于对稳定性要求极高的应用场景。其并行接口支持快速与微处理器、FPGA和其他控制器连接,简化了系统设计。

应用

IS62WVS5128FBLL-20NLI-TR 主要用于需要高速数据存储和处理的嵌入式系统,包括工业控制设备、通信设备、网络路由器和交换机、汽车电子系统以及测试测量仪器。由于其宽温度范围和高可靠性,它也适用于恶劣环境下的工业和汽车应用。

替代型号

IS62WVS5128FBLL-25NLI-TR, IS62WV5128ALLB-20BLLI-TR, CY62148EVLL-20ZSXI, IDT71V416SA12PHGI

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IS62WVS5128FBLL-20NLI-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥29.47309卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 同步
  • 存储容量4Mb
  • 存储器组织512K x 8
  • 存储器接口SPI - 四路 I/O,SDI
  • 时钟频率20 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间25 ns
  • 电压 - 供电2.2V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC