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IS62WV5128DBLL-45BLI 发布时间 时间:2025/12/25 5:35:43 查看 阅读:22

IS62WV5128DBLL-45BLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该SRAM的容量为512K x 8位,适用于需要高速数据访问和低延迟的应用场景。这款芯片采用CMOS技术制造,提供高性能和低功耗特性。IS62WV5128DBLL-45BLI采用52引脚TSOP封装,工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),适用于工业控制、网络设备、通信系统和嵌入式系统等应用场景。

参数

容量:512K x 8位
  电源电压:2.3V至3.6V
  访问时间:45ns
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  引脚数:52
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  数据保持电压:最小1.5V
  输入/输出电平:TTL兼容
  读取电流(最大):160mA(典型值)
  待机电流(最大):10mA
  封装尺寸:约18.4mm x 12.0mm
  接口类型:并行接口

特性

IS62WV5128DBLL-45BLI具备多项高性能和可靠性特性,适用于广泛的工业和通信应用。该芯片的最大访问时间为45ns,确保了快速的数据读写能力,满足高速应用的需求。其工作电压范围为2.3V至3.6V,提供了较高的电源灵活性,并确保在不同工作条件下的稳定性。芯片的TTL兼容输入/输出电平,使其能够轻松与多种控制器和系统接口连接。
  该SRAM在待机模式下的最大电流仅为10mA,具有较低的功耗特性,适合对功耗敏感的设计。在掉电情况下,芯片仍能保持数据的完整性,最低数据保持电压为1.5V,适用于需要长期数据保存的应用场景。
  IS62WV5128DBLL-45BLI采用52引脚TSOP封装,体积小巧,适合在空间受限的设备中使用。工业级工作温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在恶劣环境中稳定运行,增强了系统的可靠性和适应性。此外,该芯片广泛用于数据缓存、临时存储、高速缓冲存储器等场景,是工业控制、通信设备、嵌入式系统和网络设备的理想选择。

应用

IS62WV5128DBLL-45BLI适用于多种需要高速数据存取和稳定性能的应用场景。常见的应用包括工业控制系统,如PLC(可编程逻辑控制器)和工业计算机,用于存储实时数据和程序代码。在通信设备中,如路由器、交换机和无线基站,该芯片可用于缓存数据包和临时存储配置信息。此外,IS62WV5128DBLL-45BLI也广泛应用于嵌入式系统,如智能卡终端、测量仪器和自动售货机,提供快速、可靠的数据存储和访问能力。该芯片还适合用于需要掉电数据保持的应用,例如数据记录设备和远程传感器,确保在断电情况下关键数据不会丢失。

替代型号

IS62WV5128DBLL-55BLI, IS62LV2568DBLL-45BLI, CY62167DV30LL-45B

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IS62WV5128DBLL-45BLI参数

  • 现有数量0现货
  • 价格Digi-Key 停止提供
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态Digi-Key 停止提供
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 异步
  • 存储容量4Mb
  • 存储器组织512K x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页45ns
  • 访问时间45 ns
  • 电压 - 供电2.3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳36-TFBGA
  • 供应商器件封装36-TFBGA(6x8)