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IS62WV51216HBLL-45TLI 发布时间 时间:2025/9/1 10:04:34 查看 阅读:8

IS62WV51216HBLL-45TLI 是一颗由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)制造的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片,其容量为512K x 16位。这款SRAM芯片通常用于需要高速访问和高可靠性的系统中,如网络设备、工业控制系统、通信设备和嵌入式应用。IS62WV51216HBLL-45TLI采用高性能CMOS技术制造,具有低功耗和高速操作的特性。该芯片采用54引脚LLP封装,并且符合工业级温度范围要求,可在-40°C至+85°C环境下稳定工作。

参数

容量:512K x 16位
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:45ns
  封装类型:54引脚LLP(Leadless Leadframe Package)
  温度范围:-40°C至+85°C(工业级)
  工作模式:异步
  数据输入/输出:16位并行
  最大工作电流:约180mA(典型值)
  待机电流:约10mA(典型值)

特性

IS62WV51216HBLL-45TLI 是一款高性能SRAM芯片,其主要特性包括高速访问、低功耗设计和宽电压工作范围。它具备45ns的访问时间,适用于对响应时间要求较高的应用。该芯片采用CMOS技术,确保了在高速操作下的低功耗表现,使其适用于电池供电或对能耗敏感的系统。
  此外,该SRAM芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V,允许在不同电源环境下稳定运行,增加了其在多种应用中的兼容性。其封装形式为54引脚LLP,属于无铅封装,符合RoHS环保标准。
  IS62WV51216HBLL-45TLI 还具备宽温度范围特性,支持-40°C至+85°C的工业级工作温度范围,适用于各种严苛的工业和通信环境。其异步操作模式允许直接连接到微处理器或控制器,而无需额外的时序控制逻辑,简化了系统设计。
  此芯片的高可靠性和耐用性使其成为工业控制、网络设备、通信模块、测试仪器等领域的理想选择。同时,其并行16位数据接口支持快速数据传输,提升了整体系统性能。

应用

IS62WV51216HBLL-45TLI 广泛应用于需要高速、低功耗存储器的系统中。其典型应用包括嵌入式系统、工业控制板、网络路由器和交换机、测试与测量设备、数据采集系统以及通信基础设施设备。由于其宽电压范围和工业级温度适应性,该芯片也适用于恶劣环境下的长期运行系统。

替代型号

IS62WV51216G70ALLI, CY62167EV30LL-45B, IDT71V416SA50PI

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IS62WV51216HBLL-45TLI参数

  • 现有数量270现货
  • 价格1 : ¥44.34000散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 异步
  • 存储容量8Mb
  • 存储器组织512K x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页45ns
  • 访问时间45 ns
  • 电压 - 供电2.2V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 供应商器件封装44-TSOP II