您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IS62WV1288BLL-55YLI

IS62WV1288BLL-55YLI 发布时间 时间:2025/12/28 18:19:39 查看 阅读:29

IS62WV1288BLL-55YLI 是一颗由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有128K x 8位的存储容量,总容量为1Mbit。IS62WV1288BLL-55YLI 采用低功耗设计,适用于需要快速访问和可靠性能的嵌入式系统和工业应用。该器件封装为48引脚TSOP(Thin Small Outline Package),适合用于便携式设备、通信设备、网络设备和各种工业控制系统。

参数

容量:128K x 8位(1Mbit)
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:55ns
  封装类型:48-TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:约18.4mm x 12.0mm
  数据保持电压:最小2V
  最大工作电流(典型值):100mA(待机模式下为10mA)
  输入/输出逻辑电平:CMOS兼容
  芯片使能(CE)和输出使能(OE)控制
  三态输出

特性

IS62WV1288BLL-55YLI SRAM芯片具有多项高性能特性。首先,其高速访问时间为55ns,能够满足高速数据读写需求,适用于实时系统和高性能嵌入式平台。其次,该芯片支持宽电压范围供电(2.3V至3.6V),使其在多种电源条件下都能稳定运行,增强了其在不同应用场景中的适应能力。
  该SRAM芯片的低功耗设计在待机模式下电流仅为10mA,有助于延长电池供电设备的续航时间,适用于便携式电子设备。此外,IS62WV1288BLL-55YLI 采用CMOS制造工艺,具备较高的抗干扰能力和稳定性,能够在较宽的温度范围内(-40°C至+85°C)正常工作,适用于工业级和车载环境。
  该器件提供标准的地址和数据总线接口,支持异步读写操作,并通过CE(芯片使能)、OE(输出使能)和WE(写使能)控制信号实现灵活的控制方式。这使得IS62WV1288BLL-55YLI可以轻松集成到多种微处理器、微控制器和嵌入式系统中。

应用

IS62WV1288BLL-55YLI SRAM芯片广泛应用于多个领域,包括工业控制系统、通信设备、网络路由器和交换机、医疗设备、测试测量仪器、消费类电子产品和汽车电子系统。在嵌入式系统中,它常用于缓存数据存储、高速缓冲存储器和实时数据处理模块。由于其低功耗和宽电压特性,该芯片也适用于电池供电设备和便携式仪器。此外,在工业自动化和物联网(IoT)设备中,IS62WV1288BLL-55YLI可作为高速数据缓冲存储器,提高系统的响应速度和稳定性。

替代型号

IS62WV1288BLL-55YLI的替代型号包括IS62WV1288BLL-55HLDI、IS62LV1288AL-55YLI和CY62148EALL-55ZSXI等。

IS62WV1288BLL-55YLI推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价