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IS62WV12816FBLL-45BLI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 18:29:22 查看 阅读:24

IS62WV12816FBLL-45BLI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速异步静态随机存取存储器(SRAM),容量为128K x 16位,工作电压为3.3V。该器件采用54引脚FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装,适用于需要高速存取和低功耗的应用场景。

参数

容量:128K x 16位
  工作电压:2.3V 至 3.6V
  最大访问时间:45ns
  封装类型:54引脚FBGA
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据宽度:16位
  封装尺寸:5.5mm x 5.5mm
  最大工作频率:约11MHz(基于访问时间计算)
  输入/输出电平:CMOS兼容

特性

IS62WV12816FBLL-45BLI-TR是一款高性能异步SRAM芯片,具有高速访问时间和低功耗特性。其异步控制引脚(如CE#、OE#和WE#)允许灵活地与各种微处理器和控制器接口连接。该芯片支持异步读写操作,适用于实时数据缓冲、高速缓存和嵌入式系统存储应用。此外,该器件采用CMOS工艺制造,确保低功耗运行,同时具备较高的抗干扰能力。其54引脚FBGA封装结构紧凑,适用于空间受限的设计,如便携式电子设备和工业控制系统。
  该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准,能够在严苛的环境条件下稳定运行。此外,IS62WV12816FBLL-45BLI-TR的引脚设计兼容JEDEC标准,便于PCB布局和替换。该器件的访问时间仅为45ns,能够满足对响应速度有较高要求的应用需求,例如网络设备、通信模块和测试仪器等。

应用

IS62WV12816FBLL-45BLI-TR广泛应用于需要高速数据存储和访问的嵌入式系统中。典型应用包括工业控制设备、网络路由器和交换机、测试与测量仪器、通信模块以及汽车电子系统。该芯片特别适合用于需要临时数据缓冲、高速缓存或实时数据处理的场景,如图像处理、数据采集和协议转换等任务。其紧凑的FBGA封装形式使其成为便携式设备和高密度PCB设计的理想选择。

替代型号

CY62148EDEI-45ZSXC, IDT71V416SA166B, AS7C3128A-10TC

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IS62WV12816FBLL-45BLI-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥12.74219卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 异步
  • 存储容量2Mb
  • 存储器组织128K x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页45ns
  • 访问时间45 ns
  • 电压 - 供电2.2V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFBGA
  • 供应商器件封装48-TFBGA(6x8)