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IS62WV12816EBLL-45TLI-TR 发布时间 时间:2025/9/13 11:08:10 查看 阅读:6

IS62WV12816EBLL-45TLI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)制造的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。这款128K x 16位的低功耗SRAM专为高性能系统设计,适用于需要快速读写操作的应用,如网络设备、工业控制系统、消费类电子产品和通信设备等。IS62WV12816EBLL-45TLI-TR采用48引脚TSOP封装,并支持商业级和工业级温度范围(-40°C至+85°C),适用于各种严苛环境。该芯片以高性能和低功耗的特点广泛用于嵌入式系统和数据缓存场景。

参数

容量:2Mbit(128K x 16)
  电源电压:2.3V至3.6V
  访问时间:45ns
  封装类型:48-TSOP
  温度范围:-40°C至+85°C
  工作电流(最大):180mA(典型值)
  待机电流:10mA(典型值)
  数据输入/输出:16位
  接口类型:并行异步接口
  封装尺寸:18.4mm x 12.0mm

特性

IS62WV12816EBLL-45TLI-TR具有多项显著的技术特性,使其适用于高性能嵌入式系统和数据存储应用。其45ns的访问时间确保了快速的数据读写能力,满足高速系统的需求。该芯片支持2.3V至3.6V宽电压范围,提高了在不同供电环境下的兼容性,并且在低电压条件下仍能保持稳定运行。此外,其低功耗设计在正常工作模式下的典型电流仅为180mA,而在待机模式下更是低至10mA,适用于对功耗敏感的应用场景,如便携式设备和电池供电系统。
  该SRAM芯片的异步接口设计简化了与多种微处理器和控制器的连接,使其易于集成到现有系统中。48-TSOP封装提供了紧凑的体积,适合空间受限的设计。同时,-40°C至+85°C的宽温度范围确保了其在工业环境和户外设备中的稳定运行,提高了整体系统的可靠性。IS62WV12816EBLL-45TLI-TR还具备高抗噪能力,能够在电磁干扰较强的环境中保持数据完整性,适用于工业自动化和通信设备。

应用

IS62WV12816EBLL-45TLI-TR广泛应用于多种高性能系统,包括但不限于网络设备、工业控制系统、数据采集设备、嵌入式系统、通信模块和消费类电子产品。其高速访问时间和低功耗特性使其成为需要快速数据缓存和临时存储的首选解决方案,例如在路由器、交换机和嵌入式图像处理设备中作为帧缓存使用。此外,该芯片也可用于医疗设备、测试仪器和汽车电子系统,确保在复杂环境下仍能提供稳定可靠的数据存储性能。

替代型号

IS62WV12816EBLL-55TLI-TR, CY62167EVLL-45ZSXI, IDT71V128SA16SOGI-45B, AS7C3128A16A-45BCBINKI

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IS62WV12816EBLL-45TLI-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,000 : ¥13.37094卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 异步
  • 存储容量2Mb
  • 存储器组织128K x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页45ns
  • 访问时间45 ns
  • 电压 - 供电2.2V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 供应商器件封装44-TSOP II