时间：2025/9/1 10:39:15
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IS62WV10248DBLL-55TLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM），其容量为1MB（128K x 8）。该器件采用高性能CMOS技术制造，提供高速访问时间和低功耗特性，适用于需要高速数据访问的工业、通信和消费类应用。
容量：128K x 8 位
电源电压：3.3V
访问时间：55ns
封装类型：TSOP
封装尺寸：54引脚
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据总线宽度：8位
封装形式：双列直插式封装（SOJ）
封装代码：DBLL
工作模式：异步SRAM
输入/输出电平：CMOS兼容
IS62WV10248DBLL-55TLI 具备多项优异特性，包括高速访问时间（55ns），可满足对性能要求较高的系统设计需求。该SRAM采用低功耗CMOS工艺，使得在高速运行的同时仍能保持较低的功耗水平，适合嵌入式系统和便携设备应用。其3.3V电源设计兼容主流的系统电压标准，减少了对外部电压转换电路的需求，从而简化了电路设计。此外，该芯片具备宽温工作范围（-40°C 至 +85°C），可在各种工业环境条件下稳定运行。TSOP封装形式不仅提供了良好的电气性能，还增强了抗干扰能力，确保数据传输的稳定性。其双列直插式封装便于PCB布局和焊接，适用于高密度电路板设计。
在可靠性方面，该SRAM通过了严格的工业级测试，具备良好的抗静电能力和热稳定性，适合长时间连续运行的应用场景。由于其异步接口设计，控制逻辑相对简单，降低了系统设计的复杂度，并提高了系统的稳定性。该器件广泛应用于网络设备、工业控制器、通信模块、图像处理设备和嵌入式系统等领域。
IS62WV10248DBLL-55TLI 主要应用于需要高速、低功耗SRAM存储的场合，例如工业控制设备、网络路由器和交换机、通信基站模块、图像采集和处理系统、嵌入式处理器系统、智能卡终端设备、测试测量仪器等。在嵌入式系统中，该SRAM可用于高速缓存、数据缓冲、临时存储等用途，提升系统整体的运行效率。同时，其工业级温度范围和高可靠性使其适用于户外和恶劣环境下的设备运行。
IS62WV10248ALL-55TLI, CY62148EVLL-45ZS, IDT71V128SA90PFG, IS61WV10248BLL-10B
