IS62LV12816LL-70TI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有128K x 16位的存储容量,采用异步工作模式,适用于需要高速数据存取和可靠性能的嵌入式系统、网络设备和通信设备等应用。该器件采用CMOS工艺制造,具备低功耗和高可靠性特点,适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),封装形式为54引脚LLP(Leadless Leadframe Package)。
存储容量:128K x 16位
访问时间:70ns
工作电压:2.3V 至 3.6V
电流消耗(典型值):100mA(待机模式下为10mA)
封装类型:54引脚LLP
温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
数据输入/输出:16位并行接口
工作模式:异步SRAM
封装尺寸:14mm x 14mm
引脚间距:0.8mm
IS62LV12816LL-70TI SRAM芯片采用高性能CMOS技术制造,提供高速数据访问能力,访问时间低至70ns,适用于需要快速响应的应用场景。其128K x 16位的存储结构提供了256KB的总存储容量,满足中等规模数据缓冲和临时存储需求。该芯片支持2.3V至3.6V宽电压范围,适应多种电源设计,同时在待机模式下的低功耗设计有助于延长电池供电设备的续航时间。此外,其54引脚LLP封装具有较小的封装尺寸和良好的热性能,适用于高密度PCB布局。该芯片支持工业级温度范围,确保在各种环境下稳定运行。
该SRAM芯片还具备自动低功耗待机功能,当芯片未被访问时,可自动进入低功耗模式,从而降低整体系统功耗。此外,其输出使能(OE)和写使能(WE)信号允许与各种微处理器和控制器无缝连接,简化了系统集成。数据输入和输出采用三态缓冲器,支持总线系统的高效连接,避免信号冲突。
IS62LV12816LL-70TI广泛应用于需要高速存储器的嵌入式系统,如工业控制、通信设备、网络路由器和交换机、测试仪器、医疗设备和汽车电子系统等。其低功耗和高可靠性也使其适用于便携式设备和电池供电系统。此外,该芯片适用于需要快速数据缓存和临时存储的场合,如图像处理、数据缓冲、实时控制系统等。
IS62WV12816BLL-70TLI, CY7C1041CV33, IDT71V416SA, IS62LV25616LL