IS62LV12816BLL-70BI是一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产。该器件属于异步SRAM类别,具有128K x 16位的存储容量,适用于需要快速数据存取的场合。IS62LV12816BLL-70BI采用55nm工艺制造,具有高性能、低功耗、高可靠性等特点,广泛应用于工业控制、通信设备、嵌入式系统和网络设备等领域。该芯片采用54引脚TSOP封装,工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),适合各种严苛环境下的使用。
容量:128K x 16位
电压范围:2.3V至3.6V
最大访问时间:70ns
封装类型:54引脚TSOP
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装尺寸:标准TSOP尺寸
功耗(典型值):约200mA(待机模式下电流更低)
读取电流:最大180mA
待机电流:最大10mA
数据保持电压:最低2V
存储温度范围:-65°C至+150°C
IS62LV12816BLL-70BI是一款高性能的异步SRAM芯片,具有快速访问时间和低功耗的特点。该芯片的访问时间仅为70ns,能够满足高速数据处理的需求,适用于实时控制系统和高速缓存应用。
其低功耗设计在待机模式下电流可低至10mA,有效延长设备的电池寿命,适合便携式设备和低功耗系统使用。
该芯片支持宽电压范围(2.3V至3.6V),提高了其在不同电源环境下的兼容性和适应性。
此外,IS62LV12816BLL-70BI具有良好的数据保持能力,在电源电压降至2V时仍能保持存储数据不丢失,确保系统在低电压状态下的数据完整性。
该芯片采用工业级温度范围设计(-40°C至+85°C),可在各种恶劣环境下稳定运行,适用于工业控制、通信和车载系统等要求苛刻的应用场景。
其TSOP封装形式不仅体积小巧,而且具有良好的热稳定性和电气性能,便于在高密度PCB设计中使用。
IS62LV12816BLL-70BI广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的电子系统中。其典型应用包括工业自动化控制系统、嵌入式系统中的高速缓存、通信设备(如路由器、交换机)、网络设备、测试与测量仪器、医疗设备以及汽车电子系统等。
由于其低功耗特性和宽电压范围,该芯片也常用于便携式设备和电池供电系统中,如手持终端、智能仪表和远程传感器等。
在工业控制领域,该SRAM芯片可用于PLC控制器、运动控制系统和工业计算机中,提供高速数据缓冲和临时存储功能。
在通信设备中,IS62LV12816BLL-70BI可用于数据包缓存、协议处理和高速接口缓冲等应用场景。
此外,该芯片也适用于需要高可靠性和长期稳定运行的航空航天、安防监控和智能交通系统等领域。
IS62LV12816ALL-70BI, CY62167EVLL-70B, IDT71V128L16SOG-70B