IS61WV6416EEBLL-10TLI 是一款高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM),由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产。该芯片采用 CMOS 工艺制造,具有高可靠性、快速访问时间和较低的工作电压,适用于需要高性能数据存储的应用场景。
这款 SRAM 芯片拥有 64Mbit 的存储容量,组织方式为 4M x 16bits,并支持工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C)。其设计旨在满足嵌入式系统、网络设备、通信和消费电子等领域对大容量、快速响应存储的需求。
存储容量:64Mbit
组织形式:4M x 16bits
工作电压:1.7V 至 1.9V
访问时间:10ns
数据保持时间:无限
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TQFP-100
I/O 引脚兼容性:LVTTL/ SSTL-2
引脚数:100
IS61WV6416EEBLL-10TLI 具备以下显著特性:
1. 高速性能:提供 10ns 的快速访问时间,确保数据读写操作的高效性。
2. 低功耗:优化的 CMOS 设计降低了待机和运行时的功耗,非常适合对能效有要求的应用。
3. 宽工作电压范围:支持 1.7V 至 1.9V 的工作电压,提高了电源兼容性和稳定性。
4. 数据保护:具备无限的数据保持时间,即使在断电情况下也能可靠保存数据。
5. 工业级温度范围:能够在 -40°C 至 +85°C 的环境中稳定工作,适应各种严苛环境。
6. 可靠性:通过严格的测试流程,保证了产品的长期使用可靠性。
7. 易于集成:支持 LVTTL 和 SSTL-2 接口标准,便于与多种处理器或控制器连接。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 嵌入式系统:如工控设备中的缓存存储,用于临时保存运行数据。
2. 网络设备:例如路由器、交换机等设备中的数据包缓冲区。
3. 图形处理:用作图形加速卡中的帧缓冲区,支持高效的图像渲染。
4. 消费类电子产品:包括数字电视、游戏机和其他需要高性能存储的设备。
5. 通信设备:如基站控制器和信号处理器中的临时数据存储。
IS61WV6416EEBLL-10TLI 的高容量和快速响应使其成为这些应用的理想选择。
IS61WV6416BLL-10TLI
IS61WV6416EELBLL-10TLI
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