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IS61WV6416EEBLL-10TLI 发布时间 时间:2025/6/13 19:10:32 查看 阅读:8

IS61WV6416EEBLL-10TLI 是一款高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM),由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产。该芯片采用 CMOS 工艺制造,具有高可靠性、快速访问时间和较低的工作电压,适用于需要高性能数据存储的应用场景。
  这款 SRAM 芯片拥有 64Mbit 的存储容量,组织方式为 4M x 16bits,并支持工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C)。其设计旨在满足嵌入式系统、网络设备、通信和消费电子等领域对大容量、快速响应存储的需求。

参数

存储容量:64Mbit
  组织形式:4M x 16bits
  工作电压:1.7V 至 1.9V
  访问时间:10ns
  数据保持时间:无限
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TQFP-100
  I/O 引脚兼容性:LVTTL/ SSTL-2
  引脚数:100

特性

IS61WV6416EEBLL-10TLI 具备以下显著特性:
  1. 高速性能:提供 10ns 的快速访问时间,确保数据读写操作的高效性。
  2. 低功耗:优化的 CMOS 设计降低了待机和运行时的功耗,非常适合对能效有要求的应用。
  3. 宽工作电压范围:支持 1.7V 至 1.9V 的工作电压,提高了电源兼容性和稳定性。
  4. 数据保护:具备无限的数据保持时间,即使在断电情况下也能可靠保存数据。
  5. 工业级温度范围:能够在 -40°C 至 +85°C 的环境中稳定工作,适应各种严苛环境。
  6. 可靠性:通过严格的测试流程,保证了产品的长期使用可靠性。
  7. 易于集成:支持 LVTTL 和 SSTL-2 接口标准,便于与多种处理器或控制器连接。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 嵌入式系统:如工控设备中的缓存存储,用于临时保存运行数据。
  2. 网络设备:例如路由器、交换机等设备中的数据包缓冲区。
  3. 图形处理:用作图形加速卡中的帧缓冲区,支持高效的图像渲染。
  4. 消费类电子产品:包括数字电视、游戏机和其他需要高性能存储的设备。
  5. 通信设备:如基站控制器和信号处理器中的临时数据存储。
  IS61WV6416EEBLL-10TLI 的高容量和快速响应使其成为这些应用的理想选择。

替代型号

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IS61WV6416EEBLL-10TLI参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格540 : ¥14.08972托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 异步
  • 存储容量1Mb
  • 存储器组织64K x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页10ns
  • 访问时间10 ns
  • 电压 - 供电2.4V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 供应商器件封装44-TSOP II