时间：2025/9/1 9:19:46
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IS61WV6416EEBLL-10BLI 是一颗由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为64K x 16位，适用于需要高性能和低功耗的系统设计。该器件采用CMOS工艺制造，具有宽温度范围，适合工业级应用。
容量：64K x 16位
供电电压：2.3V - 3.6V
访问时间：10ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装引脚数：54
最大工作频率：100MHz（tRC = 10ns）
输入/输出电平：TTL兼容
数据保持电压：1.5V（最小）
待机电流：最大10mA（典型值1mA）
工作电流：最大300mA
IS61WV6416EEBLL-10BLI 是一款高性能的低功耗异步SRAM，采用先进的CMOS工艺制造，具有出色的稳定性和可靠性。其高速访问时间（10ns）使其适用于需要快速数据存取的应用场景，例如通信设备、工业控制和嵌入式系统。该芯片支持TTL输入电平，与多种控制器和处理器兼容，便于集成到现有系统中。
该器件支持宽电压范围（2.3V至3.6V），使其在不同的电源条件下都能稳定运行。此外，它在待机模式下仅消耗极低的电流（典型值1mA，最大10mA），非常适合对功耗敏感的设计。工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级环境下的稳定运行需求。
IS61WV6416EEBLL-10BLI 采用54引脚TSOP封装，节省空间且便于焊接，适合高密度PCB布局。该芯片的CMOS设计不仅提高了抗干扰能力，还降低了噪声输出，确保信号完整性。此外，其异步接口简化了时序设计，提高了系统的灵活性和可扩展性。
IS61WV6416EEBLL-10BLI 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备、测试仪器以及数据采集系统等需要高性能、低功耗和高稳定性的场合。由于其异步接口和宽温度范围，特别适合用于需要在恶劣环境下稳定工作的工业设备和车载电子系统。
CY62167EVLL-45ZE3C, IDT71V416SA10PFG, AS6C6264-55SIN, IS62WV25616EBLL-10B
