时间：2025/9/1 10:40:27
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IS61WV5128EDBLL-10TLI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）生产的高速异步静态随机存取存储器（SRAM），容量为512K x 8位，适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。该器件采用CMOS技术制造，具有较高的可靠性和稳定性。
类型：静态RAM（SRAM）
容量：512K x 8位（4Mbit）
电压供应：2.3V至3.6V
访问时间：10ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装引脚数：54
数据总线宽度：8位
接口类型：并行
IS61WV5128EDBLL-10TLI SRAM芯片具有高速访问时间，仅为10ns，使其适用于对性能要求较高的系统。该芯片支持异步操作，无需时钟信号即可运行，提供灵活的读写控制。此外，其低功耗设计适用于便携式设备和嵌入式系统。
该SRAM采用CMOS工艺，具有低待机电流，支持TTL和CMOS逻辑电平兼容，便于与各种微处理器和控制器接口。其TSOP封装形式有助于节省电路板空间，并具备良好的散热性能，适合工业级温度范围下的稳定运行。
芯片内置数据保持功能，在低电压条件下可维持数据完整性，确保系统稳定运行。同时，该器件具有高抗干扰能力，适用于电磁环境复杂的应用场合。
IS61WV5128EDBLL-10TLI广泛用于工业控制设备、通信设备、网络路由器、测试仪器、嵌入式系统以及图像处理设备等。它也非常适合用作高速缓存或临时数据存储单元，适用于需要快速数据访问的微控制器系统和FPGA配置存储。
IS61WV5128EBLL-10TLI
IS61LV25616ALBLL-10TLI
CY62148EVLL-45ZE
