时间：2025/9/1 20:12:54
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IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution (ISSI) 生产的一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件具有512K位的存储容量，组织形式为64K x 8位，适用于需要快速数据访问和高可靠性的嵌入式系统和工业控制应用。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗和高速度的特点。
容量：512K bits (64K x 8)
访问时间：10ns
电源电压：2.3V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：TSOP
引脚数量：54
输出类型：三态
控制信号：CE（片选），OE（输出使能），WE（写使能）
IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR 采用高性能CMOS技术，提供低功耗和高速操作，适合在对功耗敏感的应用中使用。该芯片的10ns访问时间确保了快速的数据读写能力，满足实时系统对响应时间的要求。其宽泛的电源电压范围（2.3V至3.6V）使其兼容多种电源系统，增强了设计的灵活性。
此外，该SRAM芯片具备三态输出，可以有效地减少总线冲突，提高系统的稳定性。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境条件下的稳定运行。TSOP封装形式不仅节省空间，还便于表面贴装工艺（SMT）的实现，提高了生产效率和可靠性。
IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR 广泛应用于需要高速数据存取和低功耗特性的场合，例如嵌入式控制系统、工业自动化设备、通信模块、网络设备、医疗仪器和消费类电子产品。由于其高可靠性，它也常用于恶劣环境下的工业现场设备和车载电子系统。
IS61WV5128EDALL-10BLI-TR, CY62148E, IDT71V416
