IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有512K x 16的存储容量,适用于需要高速数据存取和非易失性缓存的应用场景。该SRAM芯片采用CMOS工艺制造,具有低功耗和高可靠性。封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),适合嵌入式系统、工业控制设备、通信设备等高性能应用场景。
容量:512K x 16位
电压:2.3V - 3.6V
访问时间:10ns
封装类型:TSOP
温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
封装引脚数:54
工作模式:异步
数据保持电压:1.5V(最小)
IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR 是一款高性能的异步SRAM芯片,具有以下显著特性:
首先,该芯片具有512K x 16位的存储容量,适用于需要较大存储空间的数据缓存应用,如高速数据缓冲、嵌入式系统的临时存储等。其高速访问时间为10ns,确保了快速的数据读写能力,满足对实时性要求较高的系统需求。
其次,该SRAM芯片采用CMOS工艺制造,具有较低的功耗,在待机模式下功耗极低,非常适合对功耗敏感的应用。同时,其工作电压范围为2.3V至3.6V,使其兼容多种电源系统,增强了设计的灵活性。
再者,该芯片支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),确保在各种恶劣环境条件下仍能稳定工作。其TSOP封装形式不仅节省空间,还便于自动化生产和焊接,适合高密度PCB设计。
此外,该SRAM芯片具备数据保持功能,在电源电压降至1.5V时仍能保持数据不丢失,适用于需要长时间数据保留的系统。其异步控制信号包括片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE),便于与各种微控制器和嵌入式系统接口连接。
综上所述,IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR 凭借其高速、低功耗、宽电压范围、宽温度范围及TSOP封装等优点,广泛适用于通信设备、工业控制系统、汽车电子、图像处理和嵌入式系统等应用场合。
IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR 主要应用于需要高速数据存取的嵌入式系统,例如通信设备中的数据缓冲、工业控制中的高速缓存、汽车电子中的实时数据处理、图像处理系统中的帧缓存,以及各种需要高速、低延迟存储器的电子设备。其宽温度范围和TSOP封装也使其适合用于对环境适应性和封装尺寸有要求的应用场景。
CY62148EVLL-45ZE, IDT71V416SA10PFG, IS61LV25616-10BLLI-TR