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IS61WV25616BLL-10TL-TR 发布时间 时间:2025/9/1 9:01:56 查看 阅读:8

IS61WV25616BLL-10TL-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有256K x 16的存储容量,适用于需要高速数据存取的应用场景。

参数

容量:256K x 16位
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:10ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:并行
  数据速率:100MHz

特性

IS61WV25616BLL-10TL-TR 是一款高性能的SRAM芯片,具有低功耗和高速存取能力。该芯片采用CMOS技术制造,能够在宽电压范围内稳定工作。其10ns的访问时间使其适用于高速缓存和实时系统。此外,该芯片的封装形式为TSOP,便于在高密度PCB设计中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级应用环境。
  该芯片的另一个显著特点是其高可靠性和稳定性,适合长时间运行的应用场景。它支持异步操作,允许数据在没有时钟信号的情况下进行读写。此外,该芯片具备较强的抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中保持稳定工作。

应用

该芯片广泛应用于工业控制设备、网络设备、通信设备、测试设备和嵌入式系统。其高速存取能力和低功耗特性使其成为需要高性能存储解决方案的理想选择。例如,在路由器和交换机中,IS61WV25616BLL-10TL-TR 可以作为高速缓存来存储临时数据和指令。在工业控制系统中,它可以用于存储实时数据和程序代码。此外,在测试设备中,该芯片可以支持高速数据采集和处理。

替代型号

[
   "IS61WV25616ALL-10TL-TR",
   "IS61LV25616AL-10TL-TR",
   "CY62148EAVTA10ZSXE"
  ]

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IS61WV25616BLL-10TL-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量4 Mbit
  • 访问时间10 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min2.4 V
  • 最大工作电流35 mA
  • 最大工作温度+ 70 C
  • 最小工作温度0 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSOP-II
  • 封装Reel
  • 端口数量1
  • 工厂包装数量1000
  • 类型Asynchronous