时间：2025/9/13 19:47:22
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IS61WV204816BLL-10BLI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片具有2Mbit的存储容量，组织为256K x 8或128K x 16，支持异步操作，适用于需要快速数据访问和低延迟的应用场景。这款SRAM芯片采用高性能CMOS工艺制造，具有低功耗、高可靠性和宽温度范围等优点，适合在工业级环境中使用。
容量：2Mbit
组织方式：256K x 8 / 128K x 16
访问时间：10ns
工作电压：2.3V - 3.6V
封装类型：TSOP
温度范围：-40°C 至 +85°C
IS61WV204816BLL-10BLI SRAM芯片以其高速访问时间（10ns）著称，能够提供快速的数据读取和写入性能，适用于对时延敏感的应用场景。该芯片支持异步操作模式，允许其在没有时钟同步的情况下与外部设备通信，从而简化了系统设计。
该SRAM芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，使其能够兼容多种电源供应系统，并在不同的电压条件下保持稳定运行。此外，该芯片采用CMOS工艺制造，具有较低的静态功耗，在待机或低活动状态下能够有效降低能耗。
IS61WV204816BLL-10BLI采用TSOP封装，适用于空间受限的高密度电路板设计。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）确保该芯片在恶劣环境下仍能保持稳定性和可靠性，适用于工业控制、网络设备、通信系统和嵌入式系统等应用场景。
IS61WV204816BLL-10BLI广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的系统中。例如，在工业控制设备中，它可以用作缓存或临时数据存储器，以提高系统响应速度；在网络设备中，该芯片可用于数据包缓存，提升数据转发效率；在嵌入式系统中，它可作为主存储器或高速缓冲存储器，增强系统性能。
此外，该SRAM芯片还适用于测试设备、医疗仪器和自动化设备等对数据稳定性和访问速度要求较高的领域。由于其异步接口设计，IS61WV204816BLL-10BLI可以轻松集成到多种系统架构中，减少了对同步时钟的需求，提高了设计的灵活性。
CY7C1041GN30-10ZSXI, IDT71V416SA10PFGI, AS7C32M16A-10BCGTR
